所有实际电子束曝光、显影后图形的边缘要往外扩展，这就是所谓的“电子束邻近效应。同时，半导体基片上如果有绝缘的介质膜，电子通过它时也会产生一定量的电荷积累，这些积累的电荷同样会排斥后续曝光的电子，产生偏移，而不导电的绝缘体（如玻璃片）肯定不能采用电子束曝光。还有空间交变磁场、实验室温度变化等都会引起电子束曝光产生“漂移”现象。因此，即使拥有2nm电子束斑的曝 光 系统，要曝光出50nm以下的图形结构也不容易。麻省理工学院（MIT）已经采用的电子束光刻技术分辨率将推进到9nm。电子束直写光刻可以不需要光刻系统按光源类型分为紫外（UV）、深紫外（DUV）、极紫外（EUV）、电子束及无掩模激光直写等类别。工业园区常见光刻系统推荐货源

决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄；影响光刻胶均匀性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时间点有关。一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率）：I-line**厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～0.5μm。软烘方法：真空热板，85～120C,30～60秒；目的：除去溶剂（4～7%）；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶玷污设备；常州购买光刻系统五星服务边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。

电子束光刻基本上分两大类，一类是大生产光掩模版制造的电子束曝光系统，另一类是直接在基片上直写纳米级图形的电子束光刻系统。电子束光刻技术起源于扫描电镜，**早由德意志联邦共和国杜平根大学的G．Mollenstedt等人在20世纪60年代提出。电子束曝光的波长取决于电子能量，电子能量越高，曝光的波长越短，大 体在10－6nm量级上，因而电子束光刻不受衍射极限的影响，所以电子束光刻可获得接近于原子尺寸的分辨率。但是，由于电子束入射到抗蚀剂及基片上时，电子会与固体材料的原子发生“碰撞”产生电子散射现象，包括前散射和背散射电子，这些散射电子同样也参与“曝光”，前散射电子波及范围可在几十纳米，从基片上返回抗蚀剂中背散射电子可波及到几十微米之远。

浸没式光刻技术所面临的挑战主要有：如何解决曝光中产生的气泡和污染等缺陷的问题；研发和水具有良好的兼容性且折射率大于1．8的光刻胶的问题；研发折射率较大的光学镜头材料和浸没液体材料；以 及 有 效 数 值 孔 径NA值 的 拓 展 等 问题。针 对 这 些 难 题 挑 战，国 内 外 学 者 以 及ASML，Nikon和IBM等公 司已 经 做 了 相 关 研 究并提出相应的对策。浸没式光刻机将朝着更高数值孔径发展，以满足更小光刻线宽的要求。 [1]提高光刻技术分辨率的传统方法是增大镜头的NA或缩 短 波 长，通 常 首 先 采 用 的 方 法 是 缩 短 波长。卡盘颗粒控片（Chuck Particle MC）：测试光刻机上的卡盘平坦度的芯片，其平坦度要求非常高；

为把193i技术进一步推进到32和22nm的技术节点上，光刻**一直在寻找新的技术，在没有更好的新光刻技术出现前，两次曝光技术（或者叫两次成型技术，DPT）成为人们关 注 的 热 点。ArF浸没式两次曝光技术已被业界认为是32nm节点相当有竞争力的技术；在更低的22nm节点甚至16nm节点技术中，浸没式 光刻技术也 具 有相当大 的优势。01:23新哥聊芯片:13.光刻机的数值孔径浸没式光刻技术所面临的挑战主要有：如何解决曝光中产生的气泡和污染等缺陷的问题；研发和水具有良好的兼容性且折射率大于1．8的光刻胶的问题；研发折射率较大的光学镜头材料和浸没液体材料；以 及 有 效 数 值 孔 径NA值 的 拓 展 等 问题。针 对 这 些 难 题 挑 战，国 内 外 学 者 以 及ASML，Nikon和IBM等公 司已 经 做 了 相 关 研 究并提出相应的对策。浸没式光刻机将朝着更高数值孔径发展，以满足更小光刻线宽的要求。一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面，同时硅片低速旋转（100～500rpm）。吴中区省电光刻系统规格尺寸

方法：真空热板，85～120C,30～60秒；工业园区常见光刻系统推荐货源

由于193nm沉浸式工艺的延伸性非常强，同时EUV技术耗资巨大进展缓慢。EUV（极紫外线光刻技术）是下一代光刻技术（<32nm节点的光刻技术）。它是采用波长为13.4nm的软x射线进行光刻的技术。EUV光刻的基本设备方面仍需开展大量开发工作以达到适于量产的成熟水平。当前存在以下挑战：（1）开发功率足够高的光源并使系统具有足够的透射率，以实现并保持高吞吐量。（2）掩模技术的成熟，包括以足够的平面度和良率制**射掩模衬底，反射掩模的光化学检测，以及因缺少掩模表面的保护膜而难以满足无缺陷操作要求。（3）开发高灵敏度且具有低线边缘粗糙度(LineEdgeRoughness,LER)的光刻胶。 [3]工业园区常见光刻系统推荐货源

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