当芯片内部存在漏电缺陷，如结漏电、氧化层漏电时，电子-空穴对复合会释放光子，微光显微镜(EMMI)能捕捉并定位。对于载流子复合异常情况，像闩锁效应、热电子效应引发的失效，以及器件在饱和态晶体管、正向偏置二极管等工作状态下的固有发光，它也能有效探测，为这类与光子释放相关的失效提供关键分析依据。

而热红外显微镜则主要用于排查与热量异常相关的芯片问题。金属互联短路、电源与地短接会导致局部过热，其可通过检测红外辐射差异定位。对于高功耗区域因设计缺陷引发的电流集中导致的热分布异常，以及封装或散热结构失效造成的整体温度异常等情况，它能生成温度分布图像，助力找出热量异常根源。 针对氮化镓等宽禁带半导体，它能适应其宽波长探测需求，助力宽禁带器件的研发与应用。制冷微光显微镜牌子

在微光显微镜（EMMI) 操作过程中，当对样品施加合适的电压时，其失效点会由于载流子加速散射或电子-空穴对复合效应而发射特定波长的光子。这些光子经过采集和图像处理后，可以形成一张信号图。随后，取消施加在样品上的电压，在未供电的状态下采集一张背景图。再通过将信号图与背景图进行叠加处理，就可以精确地定位发光点的位置，实现对失效点的精确定位。进一步地，为了提升定位的准确性，可采用多种图像处理技术进行优化。例如，通过滤波算法去除背景噪声，增强信号图的信噪比；利用边缘检测技术，突出显示发光点的边缘特征，从而提高定位精度。国产微光显微镜用途微光显微镜的便携款桌面级设计，方便在生产线现场快速检测，及时发现产品问题，减少不合格品流出。

可探测到亮点的情况

一、由缺陷导致的亮点结漏电（Junction Leakage）接触毛刺（Contact Spiking）热电子效应（Hot Electrons）闩锁效应（Latch-Up）氧化层漏电（Gate Oxide Defects / Leakage (F-N Current)）多晶硅晶须（Poly-silicon Filaments）衬底损伤（Substrate Damage）物理损伤（Mechanical Damage）等。

二、器件本身固有的亮点饱和 / 有源状态的双极晶体管（Saturated/Active Bipolar Transistors）饱和状态的 MOS 管 / 动态 CMOS（Saturated MOS/Dynamic CMOS）正向偏置二极管 / 反向偏置二极管（击穿状态）（Forward Biased Diodes / Reverse Biased Diodes (Breakdown)）等。

微光显微镜的原理是探测光子发射。它通过高灵敏度的光学系统捕捉芯片内部因电子 - 空穴对（EHP）复合产生的微弱光子（如 P-N 结漏电、热电子效应等过程中的发光），进而定位失效点。其探测对象是光信号，且多针对可见光至近红外波段的光子。热红外显微镜则基于红外辐射测温原理工作。芯片运行时，失效区域（如短路、漏电点）会因能量损耗异常产生局部升温，其释放的红外辐射强度与温度正相关。设备通过检测不同区域的红外辐射差异，生成温度分布图像，以此定位发热异常点，探测对象是热信号（红外波段辐射）。通过与光谱仪联用，可分析光子的光谱信息，为判断缺陷类型提供更多依据，增强分析的全面性。

为了让客户对设备品质有更直观的了解，我们大力支持现场验货。您可以亲临我们的实验室，近距离观察设备的外观细节，亲身操作查验设备的运行性能、精度等关键指标。每一台设备都经过严格的出厂检测，我们敢于将品质摆在您眼前，让您在采购前就能对设备的实际状况了然于胸，消除后顾之忧。一位来自汽车零部件厂商的客户分享道：“之前采购设备总担心实际性能和描述有差距，在致晟光电现场验货时，工作人员耐心陪同我们测试，设备的精度和稳定性都超出预期，这下采购心里踏实多了。”微光显微镜可搭配偏振光附件，分析样品的偏振特性，为判断晶体缺陷方向提供独特依据，丰富检测维度。显微微光显微镜分析

为提升微光显微镜探测力，我司多种光学物镜可选，用户可依样品工艺与结构选装，满足不同微光探测需求。制冷微光显微镜牌子

在故障分析领域，微光显微镜（EmissionMicroscope,EMMI）是一种极具实用价值且效率出众的分析工具。其功能是探测集成电路（IC）内部释放的光子。在IC元件中，电子-空穴对（ElectronHolePairs,EHP）的复合过程会伴随光子（Photon）的释放。具体可举例说明：当P-N结施加偏压时，N区的电子会向P区扩散，同时P区的空穴也会向N区扩散，随后这些扩散的载流子会与对应区域的载流子（即扩散至P区的电子与P区的空穴、扩散至N区的空穴与N区的电子）发生EHP复合，并在此过程中释放光子。制冷微光显微镜牌子