半导体材料分为直接带隙半导体和间接带隙半导体，而Si是典型的直接带隙半导体，其禁带宽度为1.12eV。所以当电子与空穴复合时，电子会弹射出一个光子，该光子的能量为1.12eV，根据波粒二象性原理，该光子的波长为1100nm，属于红外光区。通俗的讲就是当载流子进行复合的时候就会产生1100nm的红外光。这也就是产生亮点的原因之一：载流子复合。所以正偏二极管的PN结处能看到亮点。如果MOS管产生latch-up现象，（体寄生三极管导通）也会观察到在衬底处产生荧光亮点。分析低阻抗短路时，微光显微镜可用于未开盖样品测试，还能定位大型 PCB 上金属线路及元器件失效点。国产微光显微镜用途

致晟光电作为苏州本土的光电检测设备研发制造企业，其本地化服务目前以国内市场为主要覆盖区域 。尤其在华东地区，依托总部苏州的地理优势，对上海、江苏、浙江等周边省市实现高效服务。无论是设备的安装调试，还是售后的故障维修、技术咨询，都能在短时间内响应，例如在苏州本地，接到客户需求后，普遍可在数小时内安排技术人员上门服务。在全国范围内，致晟光电已通过建立销售服务网点、与当地经销商合作等方式，保障本地化服务的覆盖。
科研用微光显微镜探测器处理 ESD 闭锁效应时，微光显微镜检测光子可判断其位置和程度，为研究机制、制定防护措施提供支持。

微光显微镜技术特性差异

探测灵敏度方向：EMMI 追求对微弱光子的高灵敏度（可检测单光子级别信号），需配合暗场环境减少干扰；热红外显微镜则强调温度分辨率（部分设备可达 0.01℃），需抑制环境热噪声。

空间分辨率：EMMI 的分辨率受光学系统和光子波长限制，通常在微米级；热红外显微镜的分辨率与红外波长、镜头数值孔径相关，一般略低于 EMMI，但更注重大面积热分布的快速成像。

样品处理要求：EMMI 对部分遮蔽性失效（如金属下方漏电）需采用背面观测模式，可能需要减薄、抛光样品；

处理要求：热红外显微镜可透过封装材料（如陶瓷、塑料）探测，对样品破坏性较小，更适合非侵入式初步筛查。

微光显微镜下可以产生亮点的缺陷，

如：1.漏电结(JunctionLeakage);2.接触毛刺(Contactspiking);3.热电子效应(Hotelectrons);4.闩锁效应(Latch-Up);5.氧化层漏电(Gateoxidedefects/Leakage(F-Ncurrent));6.多晶硅晶须(Poly-siliconfilaments);7.衬底损伤(Substratedamage);8.物理损伤(Mechanicaldamage)等。

当然，部分情况下也会出现样品本身的亮点，

如：1.Saturated/Activebipolartransistors;2.SaturatedMOS/DynamicCMOS;3.Forwardbiaseddiodes/Reverse；等

出现亮点时应注意区分是否为这些情况下产生的亮点另外也会出现侦测不到亮点的情况，

如：1.欧姆接触；2.金属互联短路；3.表面反型层；4.硅导电通路等。

若一些亮点被遮蔽的情况，即为BuriedJunctions及Leakagesitesundermetal，这种情况可以尝试采用backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及抛光处理。 支持离线数据分析，可将检测图像导出后进行深入处理，不占用设备的实时检测时间。

在故障分析领域，微光显微镜（EmissionMicroscope,EMMI）是一种极具实用价值且效率出众的分析工具。其功能是探测集成电路（IC）内部释放的光子。在IC元件中，电子-空穴对（ElectronHolePairs,EHP）的复合过程会伴随光子（Photon）的释放。具体可举例说明：当P-N结施加偏压时，N区的电子会向P区扩散，同时P区的空穴也会向N区扩散，随后这些扩散的载流子会与对应区域的载流子（即扩散至P区的电子与P区的空穴、扩散至N区的空穴与N区的电子）发生EHP复合，并在此过程中释放光子。静电放电破坏半导体器件时，微光显微镜侦测其光子可定位故障点，助分析原因程度。检测用微光显微镜品牌

微光显微镜的便携款桌面级设计，方便在生产线现场快速检测，及时发现产品问题，减少不合格品流出。国产微光显微镜用途

选择国产 EMMI 微光显微镜，既是拥抱技术自主，更是抢占效率与成本的双重优势！致晟光电全本土化研发实力，与南京理工大学光电技术学院深度携手，致力于光电技术研究和产业化应用，充分发挥其科研优势，构建起产学研深度融合的技术研发体系。

凭借这一坚实后盾，我们的 EMMI 微光显微镜在性能上实现更佳突破：-80℃制冷型探测器搭配高分辨率物镜，轻松捕捉极微弱漏电流光子信号，漏电缺陷定位精度与国际设备同步，让每一个细微失效点无所遁形。 国产微光显微镜用途