led驱动电路是一种用于可控硅调光器的电路,分为两类AC/ DC转换和DC/ DC转换两类,又根据驱动原理的不同,可以分为线性驱动电路和开关驱动电路。LED在具体的使用时,要注意驱动电路的选用。LED 驱动电路除了要满足安全要求外,另外的基本功能应有两个方面:根据能量来源的不同,LED驱动电路总体上可分为两类,一是AC/ DC转换,能量来自交流电,二是DC/ DC转换,能量来自干电池、可充电电池、蓄电池等。根据LED驱动原理的不同,又可以分为线性驱动电路和开关驱动电路。通过控制电机的电流和电压,可以实现电机的转动、速度控制、方向控制等。闵行区特点驱动电路现价
实验及结果根据以上分析,本文设计一台基于反激变换器的可控硅调光LED驱动器,控制芯片为NCP1607;输入交流电压220V,最大输出功率为25W,比较大输出电流为0.7A;以3串(每串10只0.8W的LED灯)相并联作为负载;RC时间系数选择0.5,增益为0.2。电路的实验波形和工作特性曲线如图4所示。图4a)、b)、c)为可控硅导通角为115°时阻抗匹配开关驱动电压VZ、输入电流Iin、输入电压Vin的波形,电路的输出电流为470mA,功率因数为0.78。从图中可看出,当可控硅导通瞬间,由于驱动器输入端有差模滤波电容导致输入电流有冲击电流尖峰,而当输入电流小于一定值时,阻抗匹配开关开通以保证流过可控硅的电流大于其维持电流。虹口区制造驱动电路销售厂半桥驱动和全桥驱动:这两种驱动方式多用于需要更高功率转换效率的场合,如电机驱动、电源转换等。
在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。
如果IGBT数据表给出的Cies的条件为VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,那么可以近似的认为Cin=2.2Cies,门极电荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的输入电容(Cies 可从IGBT 手册中找到)如果IGBT数据手册中已经给出了正象限的门极电荷曲线,那么只用Cies 近似计算负象限的门极电荷会更接近实际值:门极电荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 适用于Cies 的测试条件为 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT门极电荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2IGBT驱动:IGBT常被用于中大功率数字电源开发,其驱动电压范围为-15~15V。
3、调节功率开关器件的通断速度栅极电阻小,开关器件通断快,开关损耗小;反之则慢,同时开关损耗大。但驱动速度过快将使开关器件的电压和电流变化率**提高,从而产生较大的干扰,严重的将使整个装置无法工作,因此必须统筹兼顾。二、栅极电阻的选取1、栅极电阻阻值的确定各种不同的考虑下,栅极电阻的选取会有很大的差异。初试可如下选取:不同品牌的IGBT模块可能有各自的特定要求,可在其参数手册的推荐值附近调试。2、栅极电阻功率的确定栅极电阻的功率由IGBT栅极驱动的功率决定,一般来说栅极电阻的总功率应至少是栅极驱动功率的2倍。根据具体的应用场景和需求,还有推挽驱动、隔离驱动、加速关断驱动等多种设计方案。奉贤区特点驱动电路货源充足
MOSFET驱动:MOSFET常用于中小功率数字电源,其驱动电压范围一般在-10~20V之间。闵行区特点驱动电路现价
驱动电路是用于控制和驱动其他电路或设备的电路。它们通常用于控制电机、继电器、LED、显示器等负载。驱动电路的设计通常需要考虑负载的电流、电压要求,以及控制信号的特性。以下是一些常见的驱动电路类型:MOSFET驱动电路:使用MOSFET(场效应晶体管)作为开关元件,适用于高效能的开关电源和电机驱动。BJT驱动电路:使用双极型晶体管(BJT)来驱动负载,适合低频应用。继电器驱动电路:通过控制继电器的开关来驱动高功率负载,适用于需要隔离控制信号和负载的场合。闵行区特点驱动电路现价
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