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按引出方式二级电路分中点引出整流电路，桥式整流电路，带平衡电抗器整流电路，环形整流电路，十二相整流电路1）中点引出整流电路分：单脉波（单相半波），两脉波（单相全波），三脉波（三相半波），六脉波（三相全波）2）桥式整流电路分：两脉波（单相）桥式，六脉波（三相）桥...

优良的驱动电路对变换器性能的影响驱动电路1.提高系统可靠性2.提高变换效率(开关器件开关、导通损耗)3.减小开关器件应力(开/关过程中)4.降低EMI/EMC驱动电路为什么要采取隔离措施安规问题，驱动电路副边与主电路有耦合关系，而驱动原边是与控制电路连在一起，...

画出它的波形图，可以看到，只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出。Ug到来得早，可控硅导通的时间就早；Ug到来得晚，可控硅导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。在电工技...

Windows 9x专门提供有“添加新硬件向导”（以下简称硬件向导）来帮助使用者安装硬件驱动程序，使用者的工作就是在必要时告诉硬件向导在哪儿可以找到与硬件型号相匹配的.inf文件，剩下的绝大部分安装工作都将由硬件安装向导自己完成。给硬件设备安装驱动程序对Win...

门极驱动功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驱动器总功率 P = PG + PS（驱动器的功耗）平均输出电流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比较高开关频率 fSW max...

2023年5月，新加坡—麻省理工学院研究与技术联盟的科学家开发了世界上**小的LED（发光二极管）。 [10]2024年2月5日，中国科学院宁波材料技术与工程研究所团队深挖机理、创新工艺，制备出一款高效稳定的钙钛矿发光二极管，相关论文发于国际学术期刊《自然·光...

IGBT 的开关特性主要取决于IGBT的门极电荷及内部和外部的电阻。图1是IGBT 门极电容分布示意图，其中CGE 是栅极-发射极电容、CCE 是集电极-发射极电容、CGC 是栅极-集电极电容或称米勒电容（Miller Capacitor）。门极输入电容Cie...

光敏二极管，又叫光电二极管（英语：photodiode ）是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。管芯常使用一个具有光敏特征的PN结，对光的变化非常敏感，具有单向导电性，而且光强不同的时候会改变电学特性，因此，可以利用光照强弱来改变电路中...

所以对这两种整流电路，要求电路的整流二极管其承受反向峰值电压的能力较高；两只二极管导通，另两只二极管截止，它们串联起来承受正向峰值电压，在每只二极管两端只有正向峰值电压的一半，所以对这一电路中整流二极管承受反向峰值电压的能力要求较低。整流电路5、在要求直流电压...

IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通...

变压器次级电压u21和u22大小相等，相位相反，即 u21 = - u22 。式中，U2 是变压器次级半边绕组交流电压的有效值。全波整流电路的工作过程是：在u2 的正半周（ωt = 0~π）D1正偏导通，D2反偏截止，RL上有自上而下的电流流过，RL上的电压与...

意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，注意：以上触发电流均有一个上下起始误差范围，产品PDF文件中均有详细说明一般分为最小值/典型值/最大值，而非“=”一个参数值。双...

“双向可控硅”：是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且*需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。双向可控硅为什么称为“TRIAC”?三端：TRIode(取**个字母)交流半导体开...

（二）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。可控硅开关（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅...

led驱动电路是一种用于可控硅调光器的电路，分为两类AC/ DC转换和DC/ DC转换两类，又根据驱动原理的不同，可以分为线性驱动电路和开关驱动电路。LED在具体的使用时，要注意驱动电路的选用。LED 驱动电路除了要满足安全要求外，另外的基本功能应有两个方面：...

1、栅极上的噪声电平在有电噪声的环境中，如果栅极上的噪声电压超过VGT，并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈，则也会被触发导通。应用安装时，首先要使栅极外的连线尽可能短。当连线不能很短时，可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。在然后G与MT1之间加一个...

二极管的电路符号如图1所示。二极管有两个电极，由P区引出的电极是正极，又叫阳极；由N区引出的电极是负极，又叫阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向，二极管的文字符号用VD表示。 [4]二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个...

动态电阻二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比。 [4]电压温度系数电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。 [4]比较高工作频率比较高工作频率是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以比...

MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在...

根据图2中，RC充放电电路的输出经过增益电路后可得电流参考为：式中k为增益，VC为RC充放电电路的输入电压，τ为RC的时间系数，θ为可控硅的导通角。则在**小导通角对应的输出为零，即电路输出的**大值对应电流参考的**大值：从式(1)和式(2)可得输出电流表达...

在应用可控硅时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。电压测方法可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用...

引言近年来，高亮度LED照明以高光效、长寿命、高可靠性和无污染等优点正在逐步取代白炽灯、荧光灯等传统光源。在一些应用中，希望在某些情况下可调节灯光的亮度，以便进一步节能和提供舒适的照明。常见的调光有双向可控硅调光、后沿调光、ON/OFF调光、遥控调光等。可控硅...

波长对于LED的光谱特性我们主要看它的单色性是否优良，而且要注意到红、黄、蓝、绿、白色LED等主要的颜色是否**。因为在许多场合下，比如交通信号灯对颜色就要求比较严格，不过据观察我国的一些LED信号灯中绿色发蓝，红色的为深红，从这个现象来看我们对LED的光谱特...

意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，注意：以上触发电流均有一个上下起始误差范围，产品PDF文件中均有详细说明一般分为最小值/典型值/最大值，而非“=”一个参数值。双...

PN结形成原理P型和N型半导体P型半导体是在本征半导体（一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体）掺入少量三价元素杂质，如硼等。因硼原子只有三个价电子，它与周围的硅原子形成共价键，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这...

MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在...

若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断...

可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1基极的电流已不只是初始的Ib1，而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1*β2*Ib1）这一电流远大于Ib1，足以保持BG1的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea或降低Ea，使...

-- 适用于Cies 的测试条件为 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT当为各个应用选择IGBT驱动器时，必须考虑下列细节：· 驱动器必须能够提供所需的门极平均电流IoutAV 及门极驱动功率PG。驱动器的比较大平均输出电...

可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制...