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MOSFET体二极管的反向恢复时间指什么?

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深圳市芯技科技有限公司2025-06-24

定义:反向偏置时存储电荷耗尽时间,标准测试条件IF→IR/dI/dt=100A/μs

深圳市芯技科技有限公司
深圳市芯技科技有限公司
简介:深圳市芯技科技有限公司专注于保护器件、MOSFET和二三极管等产品,广泛应用于消费电子等多个领域。
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保护器件2
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其余 2 条回答

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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-25

    损耗关联:Prr∝Qrr×VRRM×f,芯技Si MOSFET trr<100ns(竞品>150ns)

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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-28

    同步整流限制:trr决定死区时间下限,芯技低Qrr设计支持tdead=50ns

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