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漏源电压Vds对MOSFET性能有何影响？

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深圳市芯技科技有限公司2025-06-24

导通损耗：VDS↑→RDS(on)↑（强电场致载流子迁移率↓），芯技超结MOS在600V时RDS(on)比平面结构低50%

本回答由 深圳市芯技科技有限公司 提供

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简介：深圳市芯技科技有限公司专注于保护器件、MOSFET和二三极管等产品，广泛应用于消费电子等多个领域。
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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-25

    开关特性：VDS>100V时米勒电容Cgd非线性加剧，芯技优化电荷平衡技术降低Qgd 30%

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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-30

    雪崩能力：VDS接近BVDSS时EAS骤降，芯技Avalanche Rated系列BVDSS余量>20%

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深圳市芯技科技有限公司

联系人： 黄总

手   机： 18200846735

网   址： http://xjkj666.shop.88360.com

地   址：
广东省深圳市光明区深圳市光明区凤凰街道凤凰社区观光路2533号A1栋504
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