深圳市盟科电子科技有限公司2025-07-22

可控硅的浪涌承受能力是其重要的性能指标，指的是在短时间内能够承受的超过额定电流的浪涌电流或超过额定电压的浪涌电压的能力，这一能力直接影响其在存在瞬态干扰电路中的可靠性。在电流浪涌方面，可控硅通常能承受数倍于额定电流的浪涌电流，持续时间从几微秒到几十毫秒不等，具体数值因型号而异，小功率可控硅可能承受额定电流 5-10 倍的浪涌电流，持续 10-20 毫秒，而大功率可控硅可承受额定电流 10-20 倍的浪涌电流，持续时间更长。在电压浪涌方面，可控硅的反向耐压和正向转折电压决定了其承受电压浪涌的能力，一般能承受超过额定反向耐压一定比例的瞬时反向浪涌电压，但若浪涌电压超过正向转折电压，会导致可控硅误导通，可能引发电路故障。为提高可控硅的浪涌承受能力，在电路设计中可采取一些?；ご胧绮⒘姑舻缱栉盏缪估擞?，串联限流电阻或电感抑制电流浪涌，这些措施能有效降低浪涌对可控硅的冲击。在实际应用中，需根据电路中可能出现的浪涌情况选择合适浪涌承受能力的可控硅，确保其在遭受正常浪涌冲击时不会损坏，保证照明、电机控制等设备的稳定运行。?

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