超薄石英玻璃双面套刻加工技术解析:在厚度100μm以上的超薄石英玻璃基板上进行双面套刻加工,是实现高集成度微流控芯片与光学器件的关键技术。公司采用激光微加工与紫外光刻结合工艺,首先通过CO?激光切割实现玻璃基板的高精度成型(边缘误差<±5μm),然后利用双面光刻对准系统(精度±1μm)进行微结构加工。正面通过干法刻蚀制备5-50μm深度的微流道,背面采用离子束溅射沉积100nm厚度的金属电极层,经光刻剥离形成微米级电极阵列。针对玻璃材质的脆性特点,开发了低温键合技术(150-200℃),使用硅基粘合剂实现双面结构的密封,键合强度>3MPa,耐水压>50kPa。该技术应用于光声成像芯片时,正面微流道实现样本输送,背面电极阵列同步激发光声信号,光-电信号延迟<10ns,成像分辨率达50μm。此外,超薄玻璃的高透光性(>95%@400-1000nm)与化学稳定性,使其成为荧光检测、拉曼光谱分析等**芯片的优先基板,公司已实现4英寸晶圆级批量加工,成品率>90%,为光学微系统集成提供了可靠的制造平台。 MEMS的深硅刻蚀是什么?新疆MEMS微纳米加工电话
热敏柔性电极的PI三明治结构加工技术:热敏柔性电极采用PI(聚酰亚胺)三明治结构,底层PI作为柔性基板,中间层为金属电极,上层PI实现绝缘保护,开窗漏出Pad引线位置,兼具柔韧性与电学性能。加工过程中,首先在25μm厚度的PI基板上通过溅射沉积5μm厚度的铜/金电极层,利用光刻胶作为掩膜进行湿法刻蚀,形成10-50μm宽度的电极图案,线条边缘粗糙度<1μm;然后涂覆10μm厚度的PI绝缘层,通过激光切割开设引线窗口,窗口定位精度±5μm;***经300℃高温亚胺化处理,提升层间结合力(剥离强度>10N/cm)。该电极的弯曲半径可达5mm,耐弯折次数>10万次,表面电阻<5Ω/□,适用于可穿戴体温监测、心率传感器等设备。在医疗领域,用于术后伤口热敷的柔性加热电极,可通过调节输入电压实现37-42℃精细控温,温度均匀性误差<±0.5℃,避免局部过热损伤组织。公司支持电极图案的个性化设计,可集成热电偶、NTC热敏电阻等传感器,实现“感知-驱动”一体化,推动柔性电子技术在医疗健康与智能设备中的广泛应用。天津MEMS微纳米加工之SAW器件EBL设备制备纳米级超透镜器件的原理是什么?
MEMS四种刻蚀工艺的不同需求:
1.体硅刻蚀:一些块体蚀刻些微机电组件制造过程中需要蚀刻挖除较大量的Si基材,如压力传感器即为一例,即通过蚀刻硅衬底背面形成深的孔洞,但未蚀穿正面,在正面形成一层薄膜。还有其他组件需蚀穿晶圆,不是完全蚀透晶背而是直到停在晶背的镀层上。基于Bosch工艺的一项特点,当要维持一个近乎于垂直且平滑的侧壁轮廓时,是很难获得高蚀刻率的。因此通常为达到很高的蚀刻率,一般避免不了伴随产生具有轻微倾斜角度的侧壁轮廓。不过当采用这类块体蚀刻时,工艺中很少需要垂直的侧壁。
2.准确刻蚀:精确蚀刻精确蚀刻工艺是专门为体积较小、垂直度和侧壁轮廓平滑性上升为关键因素的组件而设计的。就微机电组件而言,需要该方法的组件包括微光机电系统及浮雕印模等。一般说来,此类特性要求,蚀刻率的均匀度控制是远比蚀刻率重要得多。由于蚀刻剂在蚀刻反应区附近消耗率高,引发蚀刻剂密度相对降低,而在晶圆边缘蚀刻率会相应地增加,整片晶圆上的均匀度问题应运而生。上述问题可凭借对等离子或离子轰击的分布图予以校正,从而达到均钟刻的目的。
三维微纳结构的跨尺度加工技术:跨尺度加工技术实现了从纳米级到毫米级结构的一体化制造,满足复杂微流控系统对多尺度功能单元的需求。公司结合电子束光刻(EBL,分辨率10nm)、紫外光刻(分辨率1μm)与机械加工(精度10μm),在单一基板上构建跨3个数量级的微结构。例如,在类***培养芯片中,纳米级表面纹理(粗糙度Ra<50nm)促进细胞黏附,微米级流道(宽度50μm)控制营养物质输送,毫米级进样口(直径1mm)兼容外部管路。加工过程中,通过工艺分层设计,先进行纳米结构制备(如EBL定义细胞外基质蛋白图案),再通过紫外光刻形成中层流道,***机械加工完成宏观接口,各层结构对准误差<±2μm。该技术突破了单一工艺的尺度限制,实现了功能的跨尺度集成,在芯片实验室(Lab-on-a-Chip)中具有重要应用。公司已成功制备包含10nm电极间隙、1μm流道与1mm阀门的复合芯片,用于单分子电信号检测,信号分辨率提升至10fA,为纳米生物技术与微流控工程的交叉融合提供了关键制造能力。MEMS超表面对光电场特性的调控是怎样的?
微纳结构的台阶仪与SEM测量技术:台阶仪与扫描电子显微镜(SEM)是微纳加工中关键的计量手段,确保结构尺寸与表面形貌符合设计要求。台阶仪采用触针式或光学式测量,可精确获取0.1nm-500μm高度范围内的轮廓信息,分辨率达0.1nm,适用于薄膜厚度、刻蚀深度、台阶高度的测量。例如,在深硅刻蚀工艺中,通过台阶仪监测刻蚀深度(精度±1%),确保流道深度均匀性<2%。SEM则用于纳米级结构观测,配备二次电子探测器,可实现5nm分辨率的表面形貌成像,用于微流道侧壁粗糙度(Ra<50nm)、微孔孔径(误差<±5nm)的检测。在PDMS模具复制过程中,SEM检测模具结构的完整性,避免因缺陷导致的芯片流道堵塞。公司建立了标准化测量流程,针对不同材料与结构选择合适的测量方法,如柔性PDMS芯片采用光学台阶仪非接触测量,硬质芯片结合SEM与台阶仪进行三维尺寸分析。通过大数据统计过程控制(SPC),将关键尺寸的CPK值提升至1.67以上,确保加工精度满足需求,为客户提供可追溯的质量保障。多图拼接测量技术通过 SEM 图像融合,实现大尺寸微纳结构的亚微米级精度全景表征。四川MEMS微纳米加工按需定制
基于 0.35/0.18μm 高压工艺的神经电刺激 SoC 芯片,实现多通道控制与生物相容性优化。新疆MEMS微纳米加工电话
SU8微流控模具加工技术与精度控制:SU8作为负性光刻胶,广泛应用于6英寸以下硅片、石英片的单套或套刻微流控模具加工,可实现5-500μm高度的三维结构制造。加工流程包括:基板清洗→底涂处理→SU8涂胶(转速500-5000rpm,控制厚度1-500μm)→前烘→曝光(紫外光强度50-200mJ/cm2)→后烘→显影(PGMEA溶液,时间1-10分钟)。通过优化曝光剂量与显影时间,可实现侧壁垂直度>88°,**小线宽10μm,高度误差<±2%。在多层套刻加工中,采用对准标记视觉识别系统(精度±1μm),确保上下层结构偏差<5μm,适用于复杂三维流道模具制备。该模具可用于PDMS模塑成型,复制精度达95%以上,流道表面粗糙度Ra<100nm。典型应用如细胞培养芯片模具,其微柱阵列(直径50μm,高度200μm,间距100μm)可模拟细胞外基质环境,促进干细胞定向分化,细胞黏附率提升40%。公司具备从模具设计、加工到复制成型的全链条能力,支持SU8与硅、玻璃等多种基板的复合加工,为微流控芯片开发者提供了高精度、高性价比的模具解决方案。新疆MEMS微纳米加工电话