**普通的正胶显影液是四甲基氢氧化铵（TMAH）（标准当量浓度为0.26，温度15～25C）。在I线光刻胶曝光中会生成羧酸，TMAH显影液中的碱与酸中和使曝光的光刻胶溶解于显影液，而未曝光的光刻胶没有影响；在化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist）中包含的酚醛树脂以PHS形式存在。CAR中的PAG产生的酸会去除PHS中的?；せ牛╰-BOC），从而使PHS快速溶解于TMAH显影液中。整个显影过程中，TMAH没有同PHS发生反应。b、负性光刻胶的显影液。二甲苯。清洗液为乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术?；窗脖冉虾玫墓饪滔低逞≡?/p>

扫描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工艺；掩膜板1：1，全尺寸；步进重复投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或称作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩膜板缩小比例（4：1），曝光区域（Exposure Field）22×22mm（一次曝光所能覆盖的区域）。增加了棱镜系统的制作难度。01:13步进扫描光刻机 芯片工程师教程扫描步进投影曝光（Scanning-Stepping Project Printing）。90年代末～至今，用于≤0.18μm工艺。采用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光区域（Exposure Field）26×33mm。优点：增大了每次曝光的视?。惶峁┕杵砻娌黄秸牟钩ィ惶岣哒龉杵某叽缇刃?。但是，同时因为需要反向运动，增加了机械系统的精度要求。苏州直销光刻系统规格尺寸c、焦距控片（Focus MC）：作为光刻机监控焦距监控；

半导体器件和集成电路对光刻曝光技术提出了越来越高的要求，在单位面积上要求完善传递图像的信息量已接近常规光学的极限。光刻曝光的常用波长是3650～4358 埃，预计实用分辨率约为1微米。几何光学的原理，允许将波长向下延伸至约2000埃的远紫外波长，此时可达到的实用分辨率约为0.5～0.7微米。微米级图形的光复印技术除要求先进的曝光系统外,对抗蚀剂的特性、成膜技术、显影技术、超净环境控制技术、刻蚀技术、硅片平整度、变形控制技术等也有极高的要求。因此，工艺过程的自动化和数学模型化是两个重要的研究方向。

光致抗蚀剂，简称光刻胶或抗蚀剂，指光照后能改变抗蚀能力的高分子化合物。光蚀剂分为两大类。①正性光致抗蚀剂：受光照部分发生降解反应而能为显影液所溶解。留下的非曝光部分的图形与掩模版一致。正性抗蚀剂具有分辨率高、对驻波效应不敏感、曝光容限大、***密度低和无毒性等优点，适合于高集成度器件的生产。②负性光致抗蚀剂：受光照部分产生交链反应而成为不溶物，非曝光部分被显影液溶解，获得的图形与掩模版图形互补。负性抗蚀剂的附着力强、灵敏度高、显影条件要求不严，适于低集成度的器件的生产。国内上海微电子装备股份有限公司研制的紫外光刻机占据中端市场 [7]。

光刻系统SUSS是一种应用于半导体制造领域的工艺试验仪器，其比较大基片尺寸为6英寸，可实现0.5μm的分辨率和1μm的**小线宽 [1]。该系统通过精密光学曝光技术完成微电子器件的图形转移，为集成电路研发和生产提供关键工艺支持。比较大基片处理能力：支持直径6英寸的基片加工（截至2021年1月） [1]图形分辨率：系统的光学成像系统可实现0.5μm的分辨率 [1]线宽控制：在标准工艺条件下能够稳定实现1μm的**小线宽加工 [1]该系统采用接触式/接近式曝光原理，通过紫外光源实现掩模图形向基片光刻胶的精确转移。其精密对准机构可保证多次曝光时的套刻精度，适用于半导体器件研发阶段的工艺验证和小批量试制。无掩模激光直写系统利用激光直接在基材上成像，适用于柔性电子器件制造等领域 [5]。苏州购买光刻系统按需定制

完成图形的曝光后，用激光曝光硅片边缘，然后在显影或特殊溶剂中溶解；淮安比较好的光刻系统选择

得指出的是，EUV光刻技术的研发始于20世纪80年代。**早希望在半周期为70nm的节点（对应逻辑器件130nm节点）就能用上EUV光刻机 [1]?？墒牵庖患际跻恢贝锊坏骄г渤Я坎饪趟枰募际踔副旰筒芤蟆Ｒ煌显偻希钡?016年，EUV光刻机仍然没能投入量产。晶圆厂不得不使用193nm浸没式光刻机，依靠双重光刻的办法来实现32nm存储器件、20nm和14nm逻辑器件的生产。不断延误，对EUV技术来说，有利也有弊。一方面，它可以获得更多的时间来解决技术问题，提高性能参数；另一方面，下一个技术节点会对EUV提出更高的要求?；窗脖冉虾玫墓饪滔低逞≡?/p>

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