对准对准方法：a、预对准，通过硅片上的notch或者flat进行激光自动对准；b、通过对准标志（Align Mark），位于切割槽（Scribe Line）上。另外层间对准，即套刻精度（Overlay），保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。曝光曝光中**重要的两个参数是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距调整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的图形。表现为图形的关键尺寸超出要求的范围。曝光方法：a、接触式曝光（Contact Printing）。掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。缺点：光刻胶污染掩膜板；掩膜板的磨损，寿命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。淮安省电光刻系统量大从优

边缘光刻胶的去除光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。所以需要去除。方法：a、化学的方法（Chemical EBR）。软烘后，用PGMEA或EGMEA去边溶剂，喷出少量在正反面边缘处，并小心控制不要到达光刻胶有效区域；b、光学方法（Optical EBR）。即硅片边缘曝光（WEE，Wafer Edge Exposure）。在完成图形的曝光后，用激光曝光硅片边缘，然后在显影或特殊溶剂中溶解淮安省电光刻系统量大从优在曝光过程中，需要对不同的参数和可能缺陷进行跟踪和控制，会用到检测控制芯片/控片（Monitor Chip）。

电子束光刻基本上分两大类，一类是大生产光掩模版制造的电子束曝光系统，另一类是直接在基片上直写纳米级图形的电子束光刻系统。电子束光刻技术起源于扫描电镜，**早由德意志联邦共和国杜平根大学的G．Mollenstedt等人在20世纪60年代提出。电子束曝光的波长取决于电子能量，电子能量越高，曝光的波长越短，大 体在10－6nm量级上，因而电子束光刻不受衍射极限的影响，所以电子束光刻可获得接近于原子尺寸的分辨率。但是，由于电子束入射到抗蚀剂及基片上时，电子会与固体材料的原子发生“碰撞”产生电子散射现象，包括前散射和背散射电子，这些散射电子同样也参与“曝光”，前散射电子波及范围可在几十纳米，从基片上返回抗蚀剂中背散射电子可波及到几十微米之远。

极紫外光刻系统是采用13.5纳米波长极紫外光源的半导体制造**设备，可将芯片制程推进至7纳米、5纳米及更先进节点。该系统由荷兰阿斯麦公司于2019年推出第五代产品，突破光学衍射极限，将摩尔定律物理极限推向新高度。2021年12月14日，中国工程院***发布的"2021全球**工程成就"将其列为近五年全球工程科技重大成果，评选标准包括**技术突破、系统集成创新及产业带动效益三项维度 [1-7]。采用13.5纳米波长的极紫外光源，突破传统深紫外光刻193纳米波长限制，通过多层镀膜反射式光学系统实现更高精度曝光。该技术使芯片制程工艺节点从10纳米推进至7纳米、5纳米及3纳米水平，相较前代技术晶体管密度提升3倍以上 [5] [7]。目的：除去溶剂（4～7%）；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶玷污设备；

2024年9月工信部发布的技术指标显示，国产浸没式光刻机已实现：1.套刻精度≤8nm [1]2.满足28nm制程需求 [1]3.具备多重曝光技术适配能力研发过程中需突破：超纯水循环系统的纳米级污染控制高速扫描下的液体湍流抑制光路折射率稳定性维持林本坚团队在浸液系统上的突破 [1]。目前国产ArF浸没式光刻机：可实现套刻精度≤8nm在28nm节点具备商业化应用价值与ASML的TWINSCAN NXT系列相比，平均套刻精度相差约3nm [1]2024年ASML对中国出口浸没式DUV光刻机的限制政策加速了国产设备信息公开进程 [1]。国产设备的参数披露被认为是对国际技术封锁的实质性回应。b、除去水蒸气，使基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性六甲基二硅胺烷）。张家港常见光刻系统规格尺寸

完成图形的曝光后，用激光曝光硅片边缘，然后在显影或特殊溶剂中溶解；淮安省电光刻系统量大从优

**普通的正胶显影液是四甲基氢氧化铵（TMAH）（标准当量浓度为0.26，温度15～25C）。在I线光刻胶曝光中会生成羧酸，TMAH显影液中的碱与酸中和使曝光的光刻胶溶解于显影液，而未曝光的光刻胶没有影响；在化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist）中包含的酚醛树脂以PHS形式存在。CAR中的PAG产生的酸会去除PHS中的保护基团（t-BOC），从而使PHS快速溶解于TMAH显影液中。整个显影过程中，TMAH没有同PHS发生反应。b、负性光刻胶的显影液。二甲苯。清洗液为乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。淮安省电光刻系统量大从优

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