浸没式光刻技术所面临的挑战主要有：如何解决曝光中产生的气泡和污染等缺陷的问题；研发和水具有良好的兼容性且折射率大于1．8的光刻胶的问题；研发折射率较大的光学镜头材料和浸没液体材料；以 及 有 效 数 值 孔 径NA值 的 拓 展 等 问题。针 对 这 些 难 题 挑 战，国 内 外 学 者 以 及ASML，Nikon和IBM等公 司已 经 做 了 相 关 研 究并提出相应的对策。浸没式光刻机将朝着更高数值孔径发展，以满足更小光刻线宽的要求。 [1]提高光刻技术分辨率的传统方法是增大镜头的NA或缩 短 波 长，通 常 首 先 采 用 的 方 法 是 缩 短 波长。方法：真空热板，85～120C,30～60秒；太仓比较好的光刻系统五星服务

主要流程光复印工艺的主要流程如图2：曝光方式常用的曝光方式分类如下：接触式曝光和非接触式曝光的区别，在于曝光时掩模与晶片间相对关系是贴紧还是分开。接触式曝光具有分辨率高、复印面积大、复印精度好、曝光设备简单、操作方便和生产效率高等特点。但容易损伤和沾污掩模版和晶片上的感光胶涂层,影响成品率和掩模版寿命,对准精度的提高也受到较多的限制。一般认为，接触式曝光只适于分立元件和中、小规模集成电路的生产。非接触式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系统中，掩膜图形经光学系统成像在感光层上，掩模与晶片上的感光胶层不接触,不会引起损伤和沾污,成品率较高，对准精度也高，能满足高集成度器件和电路生产的要求。但投影曝光设备复杂，技术难度高，因而不适于低档产品的生产。现代应用**广的是 1:1倍的全反射扫描曝光系统和x:1倍的在硅片上直接分步重复曝光系统。 [2]吴江区常见光刻系统推荐货源完成图形的曝光后，用激光曝光硅片边缘，然后在显影或特殊溶剂中溶解；

极紫外光刻系统是采用13.5纳米波长极紫外光源的半导体制造**设备，可将芯片制程推进至7纳米、5纳米及更先进节点。该系统由荷兰阿斯麦公司于2019年推出第五代产品，突破光学衍射极限，将摩尔定律物理极限推向新高度。2021年12月14日，中国工程院***发布的"2021全球**工程成就"将其列为近五年全球工程科技重大成果，评选标准包括**技术突破、系统集成创新及产业带动效益三项维度 [1-7]。采用13.5纳米波长的极紫外光源，突破传统深紫外光刻193纳米波长限制，通过多层镀膜反射式光学系统实现更高精度曝光。该技术使芯片制程工艺节点从10纳米推进至7纳米、5纳米及3纳米水平，相较前代技术晶体管密度提升3倍以上 [5] [7]。

实际上，由于液体介质的折射率相比空气介质更接近曝光透镜镜片材料的折射率，等效地加大了透镜口径尺寸与数值孔径（NA），同时可以 ***提高焦深（DOF）和曝光工艺的宽容度（EL），浸没式光 刻 技 术 正 是 利 用 这 个 原 理 来 提 高 其 分 辨率。世界三 大光刻机 生产商ASML，Nikon和Cannon的*** 代 浸 没 式 光 刻 机 样 机 都 是 在 原 有193nm干式光刻机的基础上改进研制而成，**降低了研发成本和风险。因为浸没式光刻系统的原理清晰而且配合现有的光刻技术变动不大，193nm ArF准分子激光光刻技术在65nm以下节点半导体量产中已经广泛应用；ArF浸没式光刻 技 术 在45nm节 点 上 是 大 生 产 的 主 流 技 术。光刻胶厚度控片（PhotoResist Thickness MC）：光刻胶厚度测量；

光刻机系统是材料科学领域的关键设备，通过光学成像原理将掩模版上的微细图形精确转移到光刻胶表面。系统配置1Kw近紫外光源与6V/30W显微镜灯适配器，配备气动防震台保障精密操作环境，其技术参数截至2020年11月24日仍在使用 [1]。通过光化学反应将掩模版上的图形转移至光刻胶上 [1]。系统采用光敏材料与精确曝光技术结合的方式完成图形复制。（截至2020年11月24日更新数据）1.光源系统输出功率：1千瓦级近紫外光（NUV）配套适配器：6V直流供电，额定功率30W2.稳定装置一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面，同时硅片低速旋转（100～500rpm）。高新区直销光刻系统规格尺寸

科研领域使用德国SUSS紫外光刻机（占比45%），国产设备在激光直写设备中表现较好 [8]。太仓比较好的光刻系统五星服务

1.气相成底模2.旋转烘胶3.软烘4.对准和曝光5.曝光后烘焙（PEB）6.显影7.坚膜烘焙8.显影检查光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。准分子光刻技术作为当前主流的光刻技术，主要包括：特征尺寸为0．1μm的248 nm KrF准分子激光技术；特征尺寸为90 nm的193 nm ArF准分子激光技术；特征尺寸为65 nm的193 nm ArF浸没式技术（Immersion，193i）。其中193 nm浸没式光刻技术是所有光刻技术中**为长寿且**富有竞争力的，也是如何进一步发挥其潜力的研究热点。传统光刻技术光刻胶与曝光镜头之间的介质是空气，而浸没 式技术则是将空气 换成液体介质。太仓比较好的光刻系统五星服务

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