在西门康IGBT得到大力发展之前，功率场效应管MOSFET被用于需要快速开关的中低压场合，晶闸管、GTO被用于中高压领域。MOSFET虽然有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、驱动电路简单的优点;但是，在200V或更高电压的场合，MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加会迅速增加，使得其功耗大幅增加，存在着不能得到高耐压、大容量元件等缺陷。双极晶体管具有优异的低正向导通压降特性，虽然可以得到高耐压、大容量的元件，但是它要求的驱动电流大，控制电路非常复杂，而且交换速度不够快。外加正向电压较小时，二极管呈现的电阻较大。河南模块商家

双向可控硅作用 有例如1、双向可控硅在电路中的作用是：用于交流调压或交流电子开关。2、双向可控硅”是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且*需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。3、可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。新疆模块厂家供应并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，构成了晶体二极管，如下图所示。

    原标题：干货|大功率IGBT模块及驱动技术电力电子技术在当今急需节能降耗的工业领域里起到了不可替代的作用;而igbt在诸如变频器、大功率开关电源等电力电子技术的能量变换与管理应用中，越来越成为各种主回路的优先功率开关器件，因此如何安全可靠地驱动igbt工作，也成为越来越多的设计工程师面临需要解决的课题。在使用igbt构成的各种主回路之中，大功率igbt驱动保护电路起到弱电控制强电的终端界面(接口)作用。因其重要性，所以可以将该电路看成是一个相对**的“子系统”来研究、开发及设计。大功率igbt驱动保护电路一直伴随igbt技术的发展而发展，现在市场上流行着很多种类非常成熟的大功率igbt驱动保护电路**产品，成为大多数设计工程师的优先;也有许多的工程师根据其电路的特殊要求，自行研制出各种**的大功率igbt驱动保护电路。本文对这些大功率igbt驱动保护电路进行分类，并对该电路需要达到的一些功能进行阐述，***展望此电路的发展。此外本文所述大功率igbt驱动保护电路是指应用于直流母线电压在650v～1000v范围、输出电流的交流有效值在100a～600a范围的场合。来源：电力电子技术与新能源，智享汽车圈返回搜狐。

双向可控硅应用现在可控硅应用市场很多，可控硅应用在自动控制领域，机电领域，工业电器及家电等方面都有可控硅的身影。许先生告诉记者，他目前的几个大单中还有用于卷发产品的单，可见可控硅在人们的生活中都有应用。更重要的是，可控硅应用相当稳定，比方说用于家电产品中的电子开关，可以说是鲜少变化的。无论其他的元件怎么变化，可控硅的变化是不大的，这相对来说，等于扩大的可控硅的应用市场，减少了投资的风险。可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。开关性能经过优化，可以按串联器件的数量轻松调整软起动器，以适应不同的工作电压。

    但过小会导致di/dt过大，产生较大的集电极电压尖峰。因此对串联电阻要根据具体设计要求***综合考虑。栅极驱动电阻对驱动脉冲的波形也有影响。电阻值过小时会造成脉冲振荡，过大时脉冲的前后沿会发生延迟或变缓。IGBT栅极输入电容Cge随着其额定容量的增加而增大。为了保持相同的脉冲前后沿速率，对于电流容量大的IGBT器件，应提供较大的前后沿充电电流。为此，栅极串联的电阻的阻值应随着IGBT电流容量的增大而减小。：⑴光耦驱动电路，光耦驱动电路是现代逆变器和变频器设计时被***采用的一种电路，由于线路简单，可靠性高，开关性能好，被许多逆变器和变频器厂家所采用。由于驱动光耦的型号很多，所以选用的余地也很大。驱动光耦选用较多的主要有东芝的TLP系列，夏普的PC系列，惠普的HCLP系列等；⑵**集成块驱动电路，主要有IR的IR2111，IR2112，IR2113等，三菱的EXB系列，M57959，M57962等。IGBT的驱动电路必须具备两个功能：一是实现控制电路与被驱动IGBT的栅极隔离；二是提供合适的栅极驱动脉冲，实现电隔离可以采用脉冲变压器、微分变压器和光电耦合器。：一类是低倍数(～倍)的过载保护；一类是高倍数(8～10)的短路保护。对于过载保护不必快速反应，可采用集中式保护。覆盖10 kW-10 GW的宽广功率范围，树立了行业应用**。分立式硅或碳化硅（SiC）肖特基二极管的应用范围。黑龙江模块代理价格

随外加电压的增加正向电流迅速增加，如BC段特性曲线陡直，伏安关系近似线性，处于充分导通状态。河南模块商家

    其总损耗与开关频率的关系比较大，因此若希望IGBT工作在更高的频率，可选择更大电流的IGBT模块；另一方面，软开关主要是降低了开关损耗，可使IGBT模块工作频率**提高。随着IGBT模块耐压的提高，IGBT的开关频率相应下降，下面列出英飞凌IGBT模块不同耐压，不同系列工作频率fk的参考值。600V“DLC”开关频率可达到30KHz600V“KE3”开关频率可达到30KHz1200V“DN2”开关频率可达到20KHz1200V“KS4”开关频率可达到40KHz1200V“KE3”开关频率可达到10KHz1200V“KT3”开关频率可达到15KHz1700V“DN2”开关频率可达到10KHz1700V“DLC”开关频率可达到5KHz1700V“KE3”开关频率可达到5KHz3300V“KF2C”开关频率可达到3KHz6500V“KF1”开关频率可达到1KHz。河南模块商家

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