odeunemplazamientopeligrosoaotronopeligroso,asícomoenlasentradasysalidasdelasenvolventesmetálicasdeequiposeléctricosquepuedanproducirarcosotemperaturaselevadas,cuandoseempleentubosdeacero,sedeberáevitarelpasodegasesovaporesinflamables,paraelloserealizaráelselladodeestospasosmediantelautilizacióóndelmaterialeléctricoserárealizadadeacuerdoconelartíéctricos,serealizarádeacuerdoconelmododeproteccióéctrico,paraentradasdecablesnoutilizados,deberáncerrarsemediantepiezasacordes,alobjetodemantenerelmododeproteccióóndefuerzaserealizarádesdeuncuadrodedistribución,compuestoporuninterruptorautomáticodeproteccióngeneral,undiferencialmásunaseriedesalidasseparadasporcadareceptor,cadaunaconproteccióóngeneralseinstalaráóngeneraldelasinstalacionessellevaráacaboconlamáximaintensidadyamplitudqueseaposible,suplementadosporaparatoslocalesenlospuntosqueserequieraobservacióónseestablecerádemaneraqueprocurelamayorseguridaddelpersonalquetrabajedenoche。请认准苏州博洋化学股份有限公司。河南介绍BOE蚀刻液电话

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    本发明涉及一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液，通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂，来改善磷酸的浸润性和表面张力，使之均匀蚀刻氮化硅。背景技术：氮化硅是一种具有很高的化学稳定性的绝缘材料，氢氟酸和热磷酸能对氮化硅进行缓慢地腐蚀。在半导体制造工艺中，一般是采用热磷酸对氮化硅进行蚀刻，一直到了90nm的制程也是采用热磷酸来蚀刻氮化硅。但随着半导体制程的飞速发展，器件的特征尺寸越来越小，集成度越来越高，对制造工艺中的各工艺节点要求也越来越高，如蚀刻工艺中对蚀刻后晶圆表面的均匀性、蚀刻残留、下层薄膜的选择性等都有要求。在使用热磷酸对氮化硅进行蚀刻时，晶圆表面会出现不均匀的现象，体现于在蚀刻前后进行相同位置取点的厚度测量时，检测点之间蚀刻前后的厚度差值存在明显差异。为了解决氮化硅蚀刻不均匀的问题，通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂可以实现氮化硅层的均匀蚀刻。技术实现要素：本发明所要解决的技术问题是提供一种能均匀蚀刻氮化硅层的蚀刻液。本发明涉及一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液，所述蚀刻液的组成包括：占蚀刻液总重量≥88％的磷酸、％的醇醚类、％的表面活性剂。进一步地，本发明涉及上述蚀刻液。

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