赛瑞达智能电子装备（无锡）有限公司2025-03-08

在氧化过程中，首先由气体供应系统向炉内通入适量的氧气。加热系统将炉内温度升高到适合氧化反应的温度范围，一般根据不同材料和工艺要求，温度在几百摄氏度到上千摄氏度不等。例如在半导体硅片氧化时，温度常控制在 900 - 1200℃。硅片表面的硅原子与氧气发生化学反应，生成二氧化硅（SiO?）。反应方程式为：Si + O? → SiO? 。通过精确控制氧气流量、温度以及反应时间，可以精细调控氧化膜的厚度和质量。气体供应系统的流量稳定性和温度控制系统的精度对氧化过程的顺利进行和氧化膜的一致性至关重要。?

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