单腔半自动快速退火炉RTP-SA-12 是在保护气下的半自动立式快速退火系统，以红外可见光加热单片 Wafer 或样品，工艺时间短，控温精度高，适用 4-12 英寸片。相对于传统扩散炉退火系统和其他 RTP 系统，其独特的腔体设计、先进的温度控制技术和独有的 RL900 软件控制系统，确保了极好的热均匀性。主要应用于：①离子注入退火 ；②ITO 镀膜后快速退火； ③氧化物、氮化物生长；④硅化物合金退火；⑤砷化镓工艺；⑥欧姆接触快速合金；⑦氧化回流；⑧其他半导体快速热处理工艺。

双腔全自动快速退火炉RTP-DTS-12 是在保护气下的双腔全自动快速退火系统，以红外可见光加热单片 Wafer 或样品，工艺时间短，控温精度高，适用 4-12 英寸片。相对于传统扩散炉退火系统和其他 RTP 系统，其独特的腔体设计、先进的温度控制技术和独有的 RL900 软件控制系统，确保了极好的热均匀性。同时双腔的结构设计和增加晶圆机器手，提高了工作效率。主要应用于：①离子注入退火 ；②ITO 镀膜后快速退火； ③氧化物、氮化物生长；④硅化物合金退火；⑤砷化镓工艺；⑥欧姆接触快速合金；⑦氧化回流；⑧其他半导体快速热处理工艺。