深圳市阿赛姆电子有限公司2025-02-16

MOS 管，即金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor） ，其工作原理基于电场对半导体中载流子的控制。以 N 沟道增强型 MOS 管为例，它由源极（S）、漏极（D）、栅极（G）和衬底构成。在栅极与衬底之间有一层绝缘的氧化物层。当栅极电压为 0 时，源极和漏极之间的半导体区域（称为沟道）中不存在导电的载流子，此时 MOS 管处于截止状态，源极和漏极之间电阻很大，几乎没有电流通过。当在栅极上施加一个正向电压（大于阈值电压）时，栅极与衬底之间会形成一个电场，这个电场会吸引 P 型衬底中的电子到靠近氧化物层的表面，形成一个 N 型的导电沟道。随着栅极电压的升高，沟道中的电子浓度增加，沟道电阻减小，源极和漏极之间开始有电流通过，MOS 管进入导通状态。通过改变栅极电压的大小，可以控制沟道的导电能力，从而实现对漏极电流的调节。P 沟道增强型 MOS 管的工作原理类似，只是所加电压极性相反，载流子为空穴。这种通过电场控制电流的方式使得 MOS 管具有输入阻抗高、驱动功率小等优点，在现代电子电路中得到广泛应用。

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