绝缘加工件的材料选择需兼顾电气性能与环境适应性，常见的环氧树脂板通过玻璃纤维增强后，介电强度可达 20kV/mm 以上，在 130℃热态环境中仍能保持体积电阻率≥1013Ω?cm。加工时需采用金刚石砂轮进行精密切割，避免普通刀具摩擦产生的高温破坏分子结构，切割后的边缘需经 320 目砂纸逐级研磨，使表面粗糙度控制在 Ra3.2 以下，防止毛刺引发局部放电。这类加工件在高压开关柜中作为隔离开关绝缘底板使用时，需通过 40kV 工频耐压测试，同时承受 1000N 的机械压力不变形，确保电力系统安全运行。?绝缘加工件的材料选用耐电弧型，减少高压下的电弧腐蚀问题。高精度加工件

汽车传感器注塑加工件需耐受高温与振动环境，采用聚苯硫醚（PPS）加 40% 玻纤与硅橡胶包胶成型。通过双色注塑工艺，先注塑 PPS 主体（温度 300℃，模具温度 150℃），再注入液态硅橡胶（LSR，温度 120℃）形成密封层，包胶精度控制在 ±0.05mm。加工时在传感器外壳上设计蜂窝状加强筋（壁厚 0.8mm，筋高 2mm），经 100Hz、50g 振动测试 100 万次无开裂。成品在 220℃热老化 1000 小时后，弯曲强度保留率≥80%，且 IP6K9K 防护等级测试中，高压水枪（80bar）喷射无进水，满足发动机舱内传感器的长期可靠运行。一体加工件报价这款绝缘件具有良好的阻燃性能，遇明火不易燃烧，保障设备安全。

半导体晶圆传输注塑加工件采用静电耗散型 POM（聚甲醛）与碳纳米管复合注塑。添加 5% 碳纳米管（直径 10nm）通过双螺杆挤出（温度 200℃，转速 300rpm）实现均匀分散，使表面电阻稳定在 10?-10?Ω，摩擦起电量≤0.1μC。加工时运用微注塑技术，在 1mm 厚载具上成型精度 ±3μm 的 V 型槽，槽面经等离子体刻蚀（功率 150W，时间 60s）后粗糙度 Ra≤0.05μm，避免晶圆划伤。成品在 Class 10 洁净室环境中，粒子脱落量≤0.05 个 / 小时，且通过 1000 次晶圆传输循环测试，接触电阻波动≤3mΩ，满足 12 英寸晶圆的高精度、低静电传输要求。

食品级注塑加工件需符合 FDA 21 CFR 177.1520 标准，选用医用级聚丙烯（PP）与抑菌母粒共混注塑。将 0.3% 银系抑菌剂（粒径≤1μm）与 PP 粒子在双螺杆挤出机（温度 200℃，转速 250rpm）中充分混合，通过热流道注塑（模具温度 45℃，注射压力 120MPa）成型，制得菌落总数≤10CFU/g 的餐盒部件。加工时在盒体边缘设计 0.5mm 宽的圆弧倒角，表面经电晕处理（功率 8kW，时间 10s）提升印刷附着力，油墨牢固度达 4B 级。成品经 121℃高压蒸煮 30 分钟后，拉伸强度保留率≥95%，且重金属迁移量≤0.1mg/kg，满足即食食品包装的安全需求。绝缘加工件通过真空浸漆处理，内部空隙填充充分，绝缘性能更优异。

半导体刻蚀腔体注塑加工件采用全氟烷氧基树脂（PFA）与二硫化钼纳米管复合注塑，添加 3% 二硫化钼纳米管（直径 20nm，长度 1μm）通过超临界流体混合（CO?压力 10MPa，温度 80℃）均匀分散，使材料表面摩擦系数降至 0.08，抗等离子体刻蚀速率≤0.05μm/h。加工时运用精密挤出成型（温度 380℃，口模温度 360℃），在 0.5mm 薄壁部件上成型精度 ±5μm 的气流槽，槽面经电子束抛光后粗糙度 Ra≤0.02μm，减少刻蚀产物沉积。成品在 CF?/O?等离子体环境（功率 1000W，气压 10Pa）中使用 1000 小时后，表面腐蚀量≤0.1μm，且颗粒脱落量≤0.01 个 / 片，满足高级半导体刻蚀设备的高纯度与长寿命需求。绝缘加工件通过超声波清洗，表面无杂质，确保绝缘性能不受影响。杭州异形结构加工件定制

耐温注塑件选用 PPS 材料，可在 220℃高温环境中持续工作。高精度加工件

5G 基站用低损耗绝缘加工件，采用微波介质陶瓷（MgTiO?）经流延成型工艺制备。将陶瓷粉体（粒径≤1μm）与有机载体混合流延成 0.1mm 厚生瓷片，经 900℃烧结后介电常数稳定在 20±0.5，介质损耗 tanδ≤0.0003（10GHz）。加工时通过精密冲孔技术（孔径精度 ±5μm）制作三维多层电路基板，层间对位误差≤10μm，再经低温共烧（LTCC）工艺实现金属化通孔互联，通孔电阻≤5mΩ。成品在 5G 毫米波频段（28GHz）下，信号传输损耗≤0.5dB/cm，且热膨胀系数与铜箔匹配（6×10??/℃），满足基站天线阵列的高密度集成与低损耗需求。高精度加工件