致晟光电 RTTLIT E20 微光显微分析系统（EMMI）是一款专为半导体器件漏电缺陷检测量身打造的高精度检测设备。该系统搭载先进的 - 80℃制冷型 InGaAs 探测器与高分辨率显微物镜，凭借超高检测灵敏度，可捕捉器件在微弱漏电流信号下产生的极微弱微光。通过超高灵敏度成像技术，设备能快速定位漏电缺陷并开展深度分析，为工程师优化生产工艺、提升产品可靠性提供关键支持，进而为半导体器件的质量控制与失效分析环节提供安全可靠的解决方案。在超导芯片检测中，可捕捉超导态向正常态转变时的异常发光，助力超导器件的性能优化。半导体失效分析微光显微镜规格尺寸

需要失效分析检测样品，我们一般会在提前做好前期的失效背景调查和电性能验证工作，能够为整个失效分析过程找准方向、提供依据，从而更高效、准确地找出芯片失效的原因。

1.失效背景调查收集芯片型号、应用场景、失效模式（如短路、漏电、功能异常等）、失效比例、使用环境（温度、湿度、电压）等。确认失效是否可复现，区分设计缺陷、制程问题或应用不当（如过压、ESD）。

2.电性能验证使用自动测试设备（ATE）或探针台（ProbeStation）复现失效，记录关键参数（如I-V曲线、漏电流、阈值电压偏移）。对比良品与失效芯片的电特性差异，缩小失效区域（如特定功能模块）。 半导体失效分析微光显微镜设备制造国外微光显微镜价格高昂，常达上千万元，我司国产设备工艺完备，技术成熟，平替性价比高。

得注意的是，两种技术均支持对芯片进行正面检测（从器件有源区一侧观测）与背面检测（透过硅衬底观测），可根据芯片结构、封装形式灵活选择检测角度，确保在大范围扫描中快速锁定微小失效点（如微米级甚至纳米级缺陷）。在实际失效分析流程中，PEM系统先通过EMMI与OBIRCH的协同扫描定位可疑区域，随后结合去层处理（逐层去除芯片的金属布线层、介质层等）、扫描电子显微镜（SEM）的高分辨率成像以及光学显微镜的细节观察，进一步界定缺陷的物理形态（如金属线腐蚀、氧化层剥落、晶体管栅极破损等），终追溯失效机理（如电迁移、热载流子注入、工艺污染等）并完成根因分析。这种“定位-验证-溯源”的完整闭环，使得PEM系统在半导体器件与集成电路的失效分析领域得到了关键的应用。

选择国产 EMMI 微光显微镜，既是拥抱技术自主，更是抢占效率与成本的双重优势！致晟光电全本土化研发实力，与南京理工大学光电技术学院深度携手，致力于光电技术研究和产业化应用，充分发挥其科研优势，构建起产学研深度融合的技术研发体系。

凭借这一坚实后盾，我们的 EMMI 微光显微镜在性能上实现更佳突破：-80℃制冷型探测器搭配高分辨率物镜，轻松捕捉极微弱漏电流光子信号，漏电缺陷定位精度与国际设备同步，让每一个细微失效点无所遁形。 介电层漏电时，微光显微镜可检测其光子定位位置，保障电子器件绝缘结构可靠，防止电路故障。

此外，可靠的产品质量是企业赢得客户信任、巩固市场份额的基础。通过微光显微镜(EMMI)的严格检测，企业能确保交付给客户的芯片具备稳定的性能和较高的可靠性，减少因产品故障导致的客户投诉和返工或者退货风险。这种对质量的坚守，会逐渐积累成企业的品牌口碑，使客户在选择供应商时更倾向于信赖具备完善检测能力的企业，从而增强企业的市场竞争力。

微光显微镜不仅是一种检测工具，更是半导体企业提升产品质量、加快研发进度、筑牢品牌根基的战略资产。在全球半导体产业竞争日趋白热化的当今，配备先进的微光显微镜设备，将帮助企业在技术创新与市场争夺中持续领跑，构筑起难以复制的核心竞争力。 当二极管处于正向偏置或反向击穿状态时，会有强烈的光子发射，形成明显亮点。国内微光显微镜图像分析

它尝试通过金属层边缘等位置的光子来定位故障点，解决了复杂的检测难题。半导体失效分析微光显微镜规格尺寸

漏电是芯片另一种常见的失效模式，其诱因复杂多样，既可能源于晶体管长期工作后的老化衰减，也可能由氧化层存在裂纹等缺陷引发。

与短路类似，芯片内部发生漏电时，漏电路径中会伴随微弱的光发射现象——这种光信号的强度往往远低于短路产生的光辐射，对检测设备的灵敏度提出了极高要求。EMMI凭借其的微光探测能力，能够捕捉到漏电产生的极微弱光信号。通过对芯片进行全域扫描，可将漏电区域以可视化图像的形式清晰呈现，使工程师能直观识别漏电位置与分布特征。

半导体失效分析微光显微镜规格尺寸