致晟光电热红外显微镜(Thermal EMMI)系列中的 RTTLIT P20 实时瞬态锁相热分析系统,采用锁相热成像(Lock-inThermography)技术,通过调制电信号提升特征分辨率与灵敏度,并结合软件算法优化信噪比,实现显微成像下超高灵敏度的热信号测量。RTTLIT P20搭载100Hz高频深制冷型超高灵敏度显微热红外成像探测器,测温灵敏度达0.1mK,显微分辨率低至2μm,具备良好的检测灵敏度与测试效能。该系统重点应用于对测温精度和显微分辨率要求严苛的场景,包括半导体器件、晶圆、集成电路、IGBT、功率模块、第三代半导体、LED及microLED等的失效分析,是电子集成电路与半导体器件失效分析及缺陷定位领域的关键工具。定位芯片内部微短路、漏电、焊点虚接等导致的热异常点。锁相热红外显微镜
在电子领域,所有器件都会在不同程度上产生热量。器件散发一定热量属于正常现象,但某些类型的缺陷会增加功耗,进而导致发热量上升。
在失效分析中,这种额外的热量能够为定位缺陷本身提供有用线索。热红外显微镜可以借助内置摄像系统来测量可见光或近红外光的实用技术。该相机对波长在3至10微米范围内的光子十分敏感,而这些波长与热量相对应,因此相机获取的图像可转化为被测器件的热分布图。通常,会先对断电状态下的样品器件进行热成像,以此建立基准线;随后通电再次成像。得到的图像直观呈现了器件的功耗情况,可用于隔离失效问题。许多不同的缺陷在通电时会因消耗额外电流而产生过多热量。例如短路、性能不良的晶体管、损坏的静电放电保护二极管等,通过热红外显微镜观察时会显现出来,从而使我们能够精细定位存在缺陷的损坏部位。 半导体失效分析热红外显微镜选购指南热红外显微镜对集成电路进行热检测,排查内部隐藏故障 。
在国内失效分析设备领域,专注于原厂研发与生产的企业数量相对较少,尤其在热红外检测这类高精度细分领域,具备自主技术积累的原厂更为稀缺。这一现状既源于技术门槛 —— 需融合光学、红外探测、信号处理等多学科技术,也受限于市场需求的专业化程度,导致多数企业倾向于代理或集成方案。
致晟光电正是国内少数深耕该领域的原厂之一。不同于单纯的设备组装,其从中枢技术迭代入手,在传统热发射显微镜基础上进化出热红外显微镜,形成从光学系统设计、信号算法研发到整机制造的完整能力。这种原厂基因使其能深度理解国内半导体、材料等行业的失效分析需求,例如针对先进制程芯片的微小热信号检测、国产新材料的热特性研究等场景,提供更贴合实际应用的设备与技术支持,成为本土失效分析领域不可忽视的自主力量。
现市场呈现 “国产崛起与进口分野” 的竞争格局。进口品牌凭借早期技术积累,在市场仍占一定优势,国产厂商则依托本土化优势快速突围,通过优化供应链、降低生产成本,在中低端市场形成强竞争力,尤其在工业质检、电路板失效分析等场景中,凭借高性价比和快速响应的服务抢占份额。同时,国内企业持续加大研发投入,在探测器灵敏度、成像分辨率等指标上不断追赶,部分中端产品可以做到超越国际水平,且在定制化解决方案上更贴合本土客户需求,如针对大尺寸主板检测优化的机型。随着国产技术成熟度提升,与进口品牌的竞争边界不断模糊,推动整体市场向多元化、高性价比方向发展。检测 PCB 焊点、芯片键合线的接触电阻异常,避免虚焊导致的瞬态过热。
非制冷热红外显微镜基于微测辐射热计,无需低温制冷装置,具有功耗低、维护成本低等特点,适合长时间动态监测。其通过锁相热成像等技术优化后,虽灵敏度(通常 0.01-0.1℃)和分辨率(普遍 5-20μm)略逊于制冷型,但性价比更高,。与制冷型对比,非制冷型无需制冷耗材,适合 PCB、PCBA 等常规电子元件失效分析;而制冷型(如 RTTLIT P20)灵敏度达 0.1mK、分辨率低至 2μm,价格高,多用于半导体晶圆等检测。非制冷热红外显微镜在中低端工业检测领域应用较多。在高低温循环(-40℃~125℃)中监测车载功率模块、传感器的热疲劳退化。无损热红外显微镜选购指南
国产热红外显微镜凭借自主研发软件,具备时域重构等功能,提升检测效率。锁相热红外显微镜
热红外显微镜(Thermal EMMI)的突出优势二:
与传统接触式检测方法相比,热红外显微镜的非接触式检测优势更胜——无需与被测设备直接物理接触,从根本上规避了传统检测中因探针压力、静电放电等因素对设备造成的损伤风险,这对精密电子元件与高精度设备的检测尤为关键。在接触式检测场景中,探针接触产生的机械应力可能导致芯片焊点形变或线路微损伤,而静电放电(ESD)更可能直接击穿敏感半导体器件。
相比之下,热红外显微镜通过捕捉设备运行时的热辐射信号实现非侵入式检测,不仅能在设备正常工作状态下获取实时数据,更避免了因接触干扰导致的检测误差,大幅提升了检测过程的安全性与结果可靠性。这种非接触式技术突破,为电子设备的故障诊断与性能评估提供了更优解。 锁相热红外显微镜