在半导体芯片的精密检测领域，微光显微镜与热红外显微镜如同两把功能各异的 “利剑”，各自凭借独特的技术原理与应用优势，在芯片质量管控与失效分析中发挥着不可替代的作用。二者虽同服务于芯片检测，但在逻辑与适用场景上的差异，使其成为互补而非替代的检测组合。从技术原理来看，两者的 “探测语言” 截然不同。

微光显微镜是 “光子的捕捉者”，其重心在于高灵敏度的光子传感器，能够捕捉芯片内部因电性能异常释放的微弱光信号 —— 这些信号可能来自 PN 结漏电时的电子跃迁，或是栅氧击穿瞬间的能量释放，波长多集中在可见光至近红外范围。

我司微光显微镜探测芯片封装打线及内部线路短路产生的光子，快速定位短路位置，优势独特。锁相微光显微镜规格尺寸

考虑到部分客户的特殊应用场景，我们还提供Thermal&EMMI的个性化定制服务。无论是设备的功能模块调整、性能参数优化，还是外观结构适配，我们都能根据您的具体需求进行专属设计与研发。凭借高效的研发团队和成熟的生产体系，定制项目通常在 2-3 个月内即可完成交付，在保证定制灵活性的同时，充分兼顾了交付效率，让您的特殊需求得到及时且满意的答案。致晟光电始终致力于为客户提供更可靠、更贴心的服务，期待与您携手共进，共创佳绩。直销微光显微镜功能支持自定义检测参数，测试人员可根据特殊样品特性调整设置，获得较为准确的检测结果。

例如，当某批芯片在测试中发现漏电失效时，我们的微光显微镜能定位到具体的失效位置，为后续通过聚焦离子束（FIB）切割进行截面分析、追溯至栅氧层缺陷及氧化工艺异常等环节提供关键前提。可以说，我们的设备是半导体行业失效分析中定位失效点的工具，其的探测能力和高效的分析效率，为后续问题的解决奠定了不可或缺的基础。

在芯片研发阶段，它能帮助研发人员快速锁定设计或工艺中的隐患，避免资源的无效投入；在量产过程中，它能及时发现批量性失效的源头，为生产线调整争取宝贵时间，降低损失；在产品应用端，它能为可靠性问题的排查提供方向，助力企业提升产品质量和市场口碑。无论是先进制程的芯片研发，还是成熟工艺的量产检测，我们的设备都以其独特的技术优势，成为失效分析流程中无法替代的关键一环，为半导体企业的高效运转和技术升级提供有力支撑。

在半导体芯片漏电检测中，微光显微镜为工程师快速锁定问题位置提供了关键支撑。当芯片施加工作偏压时，设备即刻启动检测模式 —— 此时漏电区域因焦耳热效应会释放微弱的红外辐射，即便辐射功率为 1 微瓦，高灵敏度探测器也能捕捉到这一极微弱信号。这种检测方式的在于，通过热成像技术将漏电点的红外辐射转化为可视化热图，再与电路版图进行叠加分析，可实现漏电点的微米级精确定位。相较于传统检测手段，微光设备无需拆解芯片即可完成非接触式检测，既避免了对芯片的二次损伤，又能在不干扰正常电路工作的前提下，捕捉到漏电区域的细微热信号。微光显微镜搭配高分辨率镜头，可将微小缺陷放大至清晰可见，让检测更易观察分析，提升检测的准确度。

在故障分析领域，微光显微镜（EmissionMicroscope,EMMI）是一种极具实用价值且效率出众的分析工具。其功能是探测集成电路（IC）内部释放的光子。在IC元件中，电子-空穴对（ElectronHolePairs,EHP）的复合过程会伴随光子（Photon）的释放。具体可举例说明：当P-N结施加偏压时，N区的电子会向P区扩散，同时P区的空穴也会向N区扩散，随后这些扩散的载流子会与对应区域的载流子（即扩散至P区的电子与P区的空穴、扩散至N区的空穴与N区的电子）发生EHP复合，并在此过程中释放光子。升级后的冷却系统，能减少设备自身热噪声，让对微弱光子的探测更灵敏，提升检测下限。低温热微光显微镜订制价格

当二极管处于正向偏置或反向击穿状态时，会有强烈的光子发射，形成明显亮点。锁相微光显微镜规格尺寸

EMMI的本质只是一台光谱范围广，光子灵敏度高的显微镜。

但是为什么EMMI能够应用于IC的失效分析呢？

原因就在于集成电路在通电后会出现三种情况：1.载流子复合；2.热载流子；3.绝缘层漏电。当这三种情况发生时集成电路上就会产生微弱的荧光，这时EMMI就能捕获这些微弱荧光，这就给了EMMI一个应用的机会而在IC的失效分析中，我们给予失效点一个偏压产生荧光，然后EMMI捕获电流中产生的微弱荧光。原理上，不管IC是否存在缺陷，只要满足其机理在EMMI下都能观测到荧光 锁相微光显微镜规格尺寸