例如，当某批芯片在测试中发现漏电失效时，我们的微光显微镜能定位到具体的失效位置，为后续通过聚焦离子束（FIB）切割进行截面分析、追溯至栅氧层缺陷及氧化工艺异常等环节提供关键前提。可以说，我们的设备是半导体行业失效分析中定位失效点的工具，其的探测能力和高效的分析效率，为后续问题的解决奠定了不可或缺的基础。

在芯片研发阶段，它能帮助研发人员快速锁定设计或工艺中的隐患，避免资源的无效投入；在量产过程中，它能及时发现批量性失效的源头，为生产线调整争取宝贵时间，降低损失；在产品应用端，它能为可靠性问题的排查提供方向，助力企业提升产品质量和市场口碑。无论是先进制程的芯片研发，还是成熟工艺的量产检测，我们的设备都以其独特的技术优势，成为失效分析流程中无法替代的关键一环，为半导体企业的高效运转和技术升级提供有力支撑。 红外成像可以不破坏芯片封装，尝试定位未开封芯片失效点并区分其在封装还是 Die 内部，利于评估芯片质量。自销微光显微镜批量定制

可探测到亮点的情况

一、由缺陷导致的亮点结漏电（Junction Leakage）接触毛刺（Contact Spiking）热电子效应（Hot Electrons）闩锁效应（Latch-Up）氧化层漏电（Gate Oxide Defects / Leakage (F-N Current)）多晶硅晶须（Poly-silicon Filaments）衬底损伤（Substrate Damage）物理损伤（Mechanical Damage）等。

二、器件本身固有的亮点饱和 / 有源状态的双极晶体管（Saturated/Active Bipolar Transistors）饱和状态的 MOS 管 / 动态 CMOS（Saturated MOS/Dynamic CMOS）正向偏置二极管 / 反向偏置二极管（击穿状态）（Forward Biased Diodes / Reverse Biased Diodes (Breakdown)）等。 显微微光显微镜仪器为提升微光显微镜探测力，我司多种光学物镜可选，用户可依样品工艺与结构选装，满足不同微光探测需求。

失效背景调查就像是为芯片失效分析开启 “导航系统”，能帮助分析人员快速了解芯片的基本情况，为后续工作奠定基础。收集芯片型号是首要任务，不同型号的芯片在结构、功能和特性上存在差异，这是开展分析的基础信息。同时，了解芯片的应用场景也不可或缺，是用于消费电子、工业控制还是航空航天等领域，不同的应用场景对芯片的性能要求不同，失效原因也可能大相径庭。

失效模式的收集同样关键，短路、漏电、功能异常等不同的失效模式，指向的潜在问题各不相同。比如短路可能是由于内部线路故障，而漏电则可能与芯片的绝缘性能有关。失效比例的统计也有重要意义，如果同一批次芯片失效比例较高，可能暗示着设计缺陷或制程问题；如果只是个别芯片失效，那么应用不当的可能性相对较大。

致晟光电作为专注于微光显微镜与热红外显微镜应用的技术团队，设备在微小目标定位、热分布成像等场景中具备高分辨率优势，可广泛应用于芯片、PCB板、显示屏等消费电子元器件的检测环节，为您提供客观的物理位置或热分布定位数据。

为让您更直观了解设备的定位精度与适用性，我们诚挚邀请贵单位参与样品测试合作：若您有需要进行微光定位（如细微结构位置标记、表面瑕疵定位）或热红外定位（如元器件发热点分布、温度梯度成像）的样品，可邮寄至我方实验室。我们将提供专业检测服务，输出包含图像、坐标、数值等在内的定位数据报告（注：报告呈现客观检测结果，不做定性或定量结论判断）。测试过程中，我们会根据您的需求调整检测参数，确保定位数据贴合实际应用场景。若您对设备的定位效果认可，可进一步洽谈设备采购或长期检测服务合作。 我司微光显微镜可检测 TFT LCD 面板及 PCB/PCBA 金属线路缺陷和短路点，为质量控制与维修提供高效准确方法。

RTTLIT E20 微光显微分析系统（EMMI）是专为半导体器件漏电缺陷检测量身打造的高精度检测设备，其系统搭载 -80℃制冷型 InGaAs 探测器与高分辨率显微物镜 ，构建起超高灵敏度检测体系 —— 可准确捕捉器件在微弱漏电流下产生的极微弱微光信号，实现纳米级缺陷的可视化成像。通过超高灵敏度成像技术，设备能快速定位漏电缺陷并完成深度分析，为工程师提供直观的缺陷数据支撑，助力优化生产工艺、提升产品可靠性。从芯片研发到量产质控，RTTLIT E20 以稳定可靠的性能，为半导体器件全生命周期的质量保障提供科学解决方案，是半导体行业提升良率的关键检测利器。我司微光显微镜分析 PCB/PCBA 失效元器件周围光子，可判断其是否失效及类型位置，提高维修效率、降低成本。低温热微光显微镜运动

其内置的图像分析软件，可测量亮点尺寸与亮度，为量化评估缺陷严重程度提供数据。自销微光显微镜批量定制

光束诱导电阻变化（OBIRCH）功能与微光显微镜（EMMI）技术常被集成于同一检测系统，合称为光发射显微镜（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。

二者在原理与应用上形成巧妙互补，能够协同应对集成电路中绝大多数失效模式，大幅提升失效分析的全面性与效率。OBIRCH技术的独特优势在于，即便失效点被金属层覆盖形成“热点”，其仍能通过光束照射引发的电阻变化特性实现精细检测——这恰好弥补了EMMI在金属遮挡区域光信号捕捉受限的不足。

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