选择国产 EMMI 微光显微镜，既是拥抱技术自主，更是抢占效率与成本的双重优势！致晟光电全本土化研发实力，与南京理工大学光电技术学院深度携手，致力于光电技术研究和产业化应用，充分发挥其科研优势，构建起产学研深度融合的技术研发体系。

凭借这一坚实后盾，我们的 EMMI 微光显微镜在性能上实现更佳突破：-80℃制冷型探测器搭配高分辨率物镜，轻松捕捉极微弱漏电流光子信号，漏电缺陷定位精度与国际设备同步，让每一个细微失效点无所遁形。 微光显微镜能检测半导体器件微小缺陷和失效点，及时发现隐患，保障设备可靠运行、提升通信质量。实时成像微光显微镜工作原理

芯片制造工艺复杂精密，从设计到量产的每一个环节都可能潜藏缺陷，而失效分析作为测试流程的重要一环，是拦截不合格产品、追溯问题根源的 “守门人”。微光显微镜凭借其高灵敏度的光子探测技术，能够捕捉到芯片内部因漏电、热失控等故障产生的微弱发光信号，定位微米级甚至纳米级的缺陷。这种检测能力，能帮助企业快速锁定问题所在 —— 无论是设计环节的逻辑漏洞，还是制造过程中的材料杂质、工艺偏差，都能被及时发现。这意味着企业可以针对性地优化生产工艺、改进设计方案，从而提升芯片良率。在当前芯片制造成本居高不下的背景下，良率的提升直接转化为生产成本的降低，让企业在价格竞争中占据更有利的位置。厂家微光显微镜按需定制晶体管和二极管短路或漏电时，微光显微镜依其光子信号判断故障类型与位置，利于排查电路故障。

可探测到亮点的情况

一、由缺陷导致的亮点结漏电（Junction Leakage）接触毛刺（Contact Spiking）热电子效应（Hot Electrons）闩锁效应（Latch-Up）氧化层漏电（Gate Oxide Defects / Leakage (F-N Current)）多晶硅晶须（Poly-silicon Filaments）衬底损伤（Substrate Damage）物理损伤（Mechanical Damage）等。

二、器件本身固有的亮点饱和 / 有源状态的双极晶体管（Saturated/Active Bipolar Transistors）饱和状态的 MOS 管 / 动态 CMOS（Saturated MOS/Dynamic CMOS）正向偏置二极管 / 反向偏置二极管（击穿状态）（Forward Biased Diodes / Reverse Biased Diodes (Breakdown)）等。

致晟光电作为专注于微光显微镜与热红外显微镜应用的技术团队，设备在微小目标定位、热分布成像等场景中具备高分辨率优势，可广泛应用于芯片、PCB板、显示屏等消费电子元器件的检测环节，为您提供客观的物理位置或热分布定位数据。

为让您更直观了解设备的定位精度与适用性，我们诚挚邀请贵单位参与样品测试合作：若您有需要进行微光定位（如细微结构位置标记、表面瑕疵定位）或热红外定位（如元器件发热点分布、温度梯度成像）的样品，可邮寄至我方实验室。我们将提供专业检测服务，输出包含图像、坐标、数值等在内的定位数据报告（注：报告呈现客观检测结果，不做定性或定量结论判断）。测试过程中，我们会根据您的需求调整检测参数，确保定位数据贴合实际应用场景。若您对设备的定位效果认可，可进一步洽谈设备采购或长期检测服务合作。 微光显微镜的快速预热功能，可缩短设备启动至正常工作的时间，提高检测效率。

半导体企业购入微光显微镜设备，是提升自身竞争力的关键举措，原因在于芯片测试需要找到问题点 —— 失效分析。失效分析能定位芯片设计缺陷、制造瑕疵或可靠性问题，直接决定产品良率与市场口碑。微光显微镜凭借高灵敏度的光子探测能力，可捕捉芯片内部微弱发光信号，高效识别漏电、热失控等隐性故障，为优化生产工艺、提升芯片性能提供关键数据支撑。在激烈的市场竞争中，快速完成失效分析意味着缩短研发周期、降低返工成本，同时通过提升产品可靠性巩固客户信任，这正是半导体企业在技术迭代与市场争夺中保持优势的逻辑。我司团队改进算法等技术，整合出 EMMI 芯片漏电定位系统，价低且数据整理准、操作便，性价比高，居行业先头。厂家微光显微镜选购指南

国外微光显微镜价格高昂，常达上千万元，我司国产设备工艺完备，技术成熟，平替性价比高。实时成像微光显微镜工作原理

漏电是芯片另一种常见的失效模式，其诱因复杂多样，既可能源于晶体管长期工作后的老化衰减，也可能由氧化层存在裂纹等缺陷引发。

与短路类似，芯片内部发生漏电时，漏电路径中会伴随微弱的光发射现象——这种光信号的强度往往远低于短路产生的光辐射，对检测设备的灵敏度提出了极高要求。EMMI凭借其的微光探测能力，能够捕捉到漏电产生的极微弱光信号。通过对芯片进行全域扫描，可将漏电区域以可视化图像的形式清晰呈现，使工程师能直观识别漏电位置与分布特征。

实时成像微光显微镜工作原理