这一技术不仅有助于快速定位漏电根源（如特定晶体管的栅氧击穿、PN结边缘缺陷等），更能在芯片量产阶段实现潜在漏电问题的早期筛查，为采取针对性修复措施（如优化工艺参数、改进封装设计）提供依据，从而提升芯片的长期可靠性。例如，某批次即将交付的电源管理芯片在出厂前的EMMI抽检中，发现部分芯片的边角区域存在持续稳定的微弱光信号。结合芯片的版图设计与工艺参数分析，确认该区域的NMOS晶体管因栅氧层局部厚度不足导致漏电。技术团队据此对这批次芯片进行筛选，剔除了存在漏电隐患的产品，有效避免了缺陷芯片流入市场后可能引发的设备功耗异常、发热甚至烧毁等风险。我司设备面对闸极氧化层缺陷，微光显微镜可检测其漏电，助力及时解决相关问题，避免器件性能下降或失效。非制冷微光显微镜方案设计

我司专注于微弱信号处理技术的深度开发与场景化应用，凭借深厚的技术积累，已成功推出多系列失效分析检测设备及智能化解决方案。更懂本土半导体产业的需求，软件界面贴合工程师操作习惯，无需额外适配成本即可快速融入产线流程。

性价比优势直击痛点：相比进口设备，采购成本降低 30% 以上，且本土化售后团队实现 24 小时响应、48 小时现场维护，备件供应周期缩短至 1 周内，彻底摆脱进口设备 “维护慢、成本高” 的困境。用国产微光显微镜，为芯片质量把关，让失效分析更高效、更经济、更可控！ 制冷微光显微镜市场价热电子与晶格相互作用及闩锁效应发生时也会产生光子，在显微镜下呈现亮点。

可探测到亮点的情况

一、由缺陷导致的亮点结漏电（Junction Leakage）接触毛刺（Contact Spiking）热电子效应（Hot Electrons）闩锁效应（Latch-Up）氧化层漏电（Gate Oxide Defects / Leakage (F-N Current)）多晶硅晶须（Poly-silicon Filaments）衬底损伤（Substrate Damage）物理损伤（Mechanical Damage）等。

二、器件本身固有的亮点饱和 / 有源状态的双极晶体管（Saturated/Active Bipolar Transistors）饱和状态的 MOS 管 / 动态 CMOS（Saturated MOS/Dynamic CMOS）正向偏置二极管 / 反向偏置二极管（击穿状态）（Forward Biased Diodes / Reverse Biased Diodes (Breakdown)）等。

微光显微镜下可以产生亮点的缺陷，

如：1.漏电结(JunctionLeakage);2.接触毛刺(Contactspiking);3.热电子效应(Hotelectrons);4.闩锁效应(Latch-Up);5.氧化层漏电(Gateoxidedefects/Leakage(F-Ncurrent));6.多晶硅晶须(Poly-siliconfilaments);7.衬底损伤(Substratedamage);8.物理损伤(Mechanicaldamage)等。

当然，部分情况下也会出现样品本身的亮点，

如：1.Saturated/Activebipolartransistors;2.SaturatedMOS/DynamicCMOS;3.Forwardbiaseddiodes/Reverse；等

出现亮点时应注意区分是否为这些情况下产生的亮点另外也会出现侦测不到亮点的情况，

如：1.欧姆接触；2.金属互联短路；3.表面反型层；4.硅导电通路等。

若一些亮点被遮蔽的情况，即为BuriedJunctions及Leakagesitesundermetal，这种情况可以尝试采用backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及抛光处理。 在航空航天芯片检测中，它可定位因辐射导致的芯片损伤，为航天器电子设备的稳定运行保驾护航。

通过对这些微光信号的成像与定位，它能直接“锁定”电性能缺陷的物理位置，如同在黑夜中捕捉萤火虫的微光，实现微米级的定位。而热红外显微镜则是“温度的解读师”，依托红外热成像技术，它检测的是芯片工作时因能量损耗产生的温度差异。电流通过芯片时的电阻损耗、电路短路时的异常功耗，都会转化为局部温度的细微升高，这些热量以红外辐射的形式散发，被热红外显微镜捕捉并转化为热分布图。通过分析温度异常区域，它能间接推断电路中的故障点，尤其擅长发现与能量损耗相关的问题。微光显微镜搭配高分辨率镜头，可将微小缺陷放大至清晰可见，让检测更易观察分析，提升检测的准确度。制冷微光显微镜设备制造

电路验证中出现闩锁效应及漏电，微光显微镜可定位位置，为电路设计优化提供依据，保障系统稳定运行。非制冷微光显微镜方案设计

OBIRCH与EMMI技术在集成电路失效分析领域中扮演着互补的角色，其主要差异体现在检测原理及应用领域。具体而言，EMMI技术通过光子检测手段来精确定位漏电或发光故障点，而OBIRCH技术则依赖于激光诱导电阻变化来识别短路或阻值异常区域。这两种技术通常被整合于同一检测系统（即PEM系统）中，其中EMMI技术在探测光子发射类缺陷，如漏电流方面表现出色，而OBIRCH技术则对金属层遮蔽下的短路现象具有更高的敏感度。例如，EMMI技术能够有效检测未开封芯片中的失效点，而OBIRCH技术则能有效解决低阻抗（<10 ohm）短路问题。非制冷微光显微镜方案设计

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