螺钉应以推荐的夹紧力矩范围予以夹紧。如果该力矩不足,可能使接触热阻变大,或在工作中产生松动。反之,如果力矩过大,可能引起外壳破坏。将IGBT模块安装在由挤压模制作的散热器上时,IGBT模块的安装与散热器挤压方向平行,这是为了减小散热器变形的影响。图2螺钉的夹紧方法把模块焊接到PCB时,应注意焊接时间要短。注意波形焊接机的溶剂干燥剂的用量,不要使用过量的溶剂。模块不能冲洗。用网版印刷技术在散热器表面印刷50μm的散热复合用螺钉把模块和PCB安装在散热器上。在未上螺钉之前,轻微移动模块可以更好地分布散热膏。安装螺钉时先用合适的力度固定两个螺钉,然后用推荐的力度旋紧螺钉。在IGBT模块的端子上,将栅极驱动电路和控制电路锡焊时,一旦焊锡温度过高,可能发生外壳树脂材料熔化等不良情况。一般性产品的端子耐热性试验条件:焊锡温度:260±5℃。焊接时间:10±1s。次数:1次。IGBT模块安装中应注意的事项:1)要在无电源时进行安装,装卸时应采用接地工作台,接地地面,接地腕带等防静电措施。先让人体和衣服上所带的静电通过高电阻(1Ωn左右)接地线放电后,再在接地的导电性垫板上进行操作。要拿封装主体,不要直接触碰端子(特别是控制端子)部。然而,栅极端子上的金属材料具有二氧化硅层。辽宁模块技术指导
所述工装槽321设置在向上翘起的所述端部上。这样,所述压紧部上设置有所述工装槽的部分就不会贴合在igbt单管上,方便从所述工装槽内退出工装。如图1所示,可选的,所述igbt单管2的数量为一个以上,各所述igbt单管2成排设置在所述安装板1上。本实施例中,应当理解的是,各所述igbt单管之间相互并联,且各所述igbt单管之间的并联方法属于现有技术,例如:各所述igbt单管通过母线铜排相并联,本实施例对各所述igbt单管之间的电连接关系不再赘述。各所述igbt单管成排布置,一方面方便对各所述igbt单管进行辨认和电连接,另一方面还便于各所述压紧件的布置。如图1和图2所示,可选的,所述压紧件3的数量与所述igbt单管2的排数相等,每个所述压紧件3将其中一排所述igbt单管2抵压在所述安装板1上。本实施例,一个所述压紧件可以将一排所述igbt单管抵压在所述安装板,可以**的提高所述igbt单管的安装效率。如图2所示,可选的,所述压紧件3的连接板31呈长条状,所述压紧件3包括一个以上的所述压紧部32,各所述压紧部32沿所述连接板31的长度方向依次连接在所述连接板31的上端。本实施例,每个所述压紧部下方可以安装一个igbt单管,这样,相比于将所述压紧部做成长条状。大规模模块推荐货源减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。
不*上桥臂的开关管要采用各自**的隔离电源,下桥臂的开关管也要采用各自**的隔离电源,以避免回路噪声,各路隔离电源要达到一定的绝缘等级要求。3)在连接IGBT电极端子时,主端子电极间不能有张力和压力作用,连接线(条)必须满足应用,以免电极端子发热在模块上产生过热。控制信号线和驱动电源线要离远些,尽量垂直,不要平行放置。4)光耦合器输出与IGBT输入之间在PCB上的走线应尽量短,**好不要超过3cm。5)驱动信号隔离要用高共模抑制比(CMR)的高速光耦合器,要求tp《μs,CMR》l0kV/μs,如6N137,TCP250等。6)IGBT模块驱动端子上的黑色套管是防静电导电管,用接插件引线时,取下套管应立即插上引线;或采用焊接引线时先焊接再剪断套管。7)对IGBT端子进行锡焊作业的时候,为了避免由烙铁、烙铁焊台的泄漏产生静电加到IGBT上,烙铁前端等要用十分低的电阻接地。焊接G极时,电烙铁要停电并接地,选用定温电烙铁**合适。当手工焊接时,温度260℃±5℃,时间(10+1)s。波峰焊接时,PCB要预热80~105℃,在245℃时浸入焊接3~4s。8)仪器测量时,应采用1000电阻与G极串联。在模块的端子部测量驱动电压(VGE)时,应确认外加了既定的电压。
图2是本实用新型的非绝缘双塔型二极管模块的结构示意图。其中1—底板,2—上过渡层,3—二极管芯片,4一下过渡层,5—连接桥,6—主电极,61—过孔,7—绝缘体,8—软弹性胶,9一外壳,91一定位凹槽,具体实施方式见图1所示的非绝缘双塔型二极管模块,包括底板l、二极管芯片3、主电极6以及外壳9,底板1采用镀镍铜板或其它导电板,而二极管芯片3的下端面通过下过渡层4固定连接在底板1上,二极管芯片3的上端面通过上过渡层2与连接桥板5的一侧固定连接,上过渡层2和下过渡层4均是能与二极管芯片3、底板1以及连接桥板5连接的钼片、钨片或可伐片等,通过上、下过渡层使二极管芯片3可靠地与底板1和连接桥板5连接,该连接可采用焊接或粘接等固定方式,特别是钼片的热膨胀系数接近于二极管芯片,减少热应力。本实用新型的连接桥板5是具有两个以上折弯的条板,如图2所示,连接桥板5具有三折,且连接桥板5为两端平板中部凸起的梯形;或连接桥板5为两端平板且中部凸起弓形;连接桥板5也可以是多折,弯折后的连接桥板5能吸收和释放机械应力和热应力,连接桥板5的另一侧通过绝缘体7固定在底板1上,该绝缘体7是两面涂有或覆有金属层的陶瓷片,可采用烧结或键合工艺制造。IGBT 是绝缘栅双极晶体管的简称,是一种三端半导体开关器件,可用于多种电子设备中的高效快速开关。
测试温度范围Tj=25°及125°。IGBT模块动态测试参数及指标测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足国际标准IEC60747-9以及IEC60747-2。以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。1)动态测试参数IGBT的开通和关断波形及其相关参数的定义如图2、图3所示。1)图2IGBT开通过程及其参数定义动态测试参数IGBT的开通和关断波形及其相关参数的定义如图2、图3所示。图2IGBT开通过程及其参数定义图3IGBT关断过程及其参数定义表格2可测量的IGBT动态参数参数名称符号参数名称符号开通延迟时间td(on)关断延迟时间td(off)上升时间tr下降时间tf开通时间ton关断时间toff开通损耗Eon关断损耗Eoff栅极电荷Qg短路电流ISC//可测量的FRD动态参数参数名称符号参数名称符号反向恢复电流IRM反向恢复电荷Qrr反向恢复时间trr反向恢复损耗Erec*2)动态测试参数指标表格4IGBT动态测试参数指标主要参数测试范围精度要求测试条件Vce集射极电压150~1500V150~500V±3%±1V;500~1000V±2%±2V;1000~1500V±1%±5V;150~1500VIc集射极电流1~1200A1~200A±3%±1A;200~1200A±3%±2A。左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+区称为源区,附于其上的电极称为源极(即发射极E)。新疆模块多少钱
IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、传动等领域。辽宁模块技术指导
可通过连接桥板的变形来释放所受到的应力,加之主电极也为折弯的条板,主电极的一侧固定连接在连接桥板上,使主电极也能释放机械应力和热应力,因此可通过连接桥板以及主电极降低二极管芯片的机械应力和热应力,有效地降低了二极管在长期工作中因机械震动以及发热所产生的机械应力和热应力。2、本实用新型由于在壳体的顶部设有用于紧固件定位用的定位凹槽,而覆在壳体顶部的主电极上设有过孔并与壳体上的定位凹槽对应,由于螺钉安装时的力矩方向为水平方向,因此在模块装配及电极装配的过程中,主电极不再受外部机械应力的影响,故二极管芯片没有机械应力的作用,在工作运行时也不会受到机械应力的影响,提高了二极管工作可靠性。3、本实用新型通过软弹性胶对下过渡层、二极管芯片、上过渡层、连接桥板、绝缘体以及主电极灌注密封,因此二极管芯片能通过软弹性胶进行保护,不仅使连接桥板和主电极能释放因振动而产生的机械应力以及工作中所产生的热应力,而且通过软弹性胶使热应力不会作用于二极管芯片上,因此二极管工作可靠性得到很大提高。以下结合附图对本实用新型的实施例作进一步的详细描述。图1是已有非绝缘双塔型二极管模块的结构示意图。辽宁模块技术指导
江苏芯钻时代电子科技有限公司成立于2022-03-29,是一家专注于IGBT模块,可控硅晶闸管,二极管模块,熔断器的高新技术企业,公司位于昆山开发区朝阳东路109号亿丰机电城北楼A201。公司经常与行业内技术专家交流学习,研发出更好的产品给用户使用。公司业务不断丰富,主要经营的业务包括:IGBT模块,可控硅晶闸管,二极管模块,熔断器等多系列产品和服务。可以根据客户需求开发出多种不同功能的产品,深受客户的好评。公司与行业上下游之间建立了长久亲密的合作关系,确保IGBT模块,可控硅晶闸管,二极管模块,熔断器在技术上与行业内保持同步。产品质量按照行业标准进行研发生产,绝不因价格而放弃质量和声誉。在市场竞争日趋激烈的现在,我们承诺保证IGBT模块,可控硅晶闸管,二极管模块,熔断器质量和服务,再创佳绩是我们一直的追求,我们真诚的为客户提供真诚的服务,欢迎各位新老客户来我公司参观指导。