FSM413MOT红外干涉测量设备：适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...如果您想了解更多关于FSM膜厚仪的技术问题，请联系我们岱美仪器。F30-UV测厚范围：3nm-40μm；波长：190-1100nm。半导体膜厚仪技术原理

不管是参与对显示器的基础研究还是制造，Thetametrisis都能够提供您所需要的...测量液晶层-聚酰亚胺、硬涂层、液晶、间隙测量有机发光二极管层-发光、电注入、缓冲垫、封装对于空白样品，我们建议使用FR-Scanner系列仪器。对于图案片，Thetametrisis的FR-Scanner用于测量薄膜厚度已经找到了显示器应用广范使用。测量范例此案例中，我们成功地测量了蓝宝石和硼硅玻璃基底上铟锡氧化物薄膜厚度，可以很容易地在380纳米到1700纳米内同时测量透射率和反射率以确定厚度，折射率，消光系数。由于ITO薄膜在各种基底上不同寻常的的扩散，这个扩展的波长范围是必要的。Profilm3D膜厚仪试用F3-sX 系列测厚范围：10μm - 3mm；波长：960-1580nm。

FSM8018VITE测试系列设备VITE技术介绍：VITE是傅里叶频域技术，利用近红外光源的相位剪切技术（Phasesheartechnology）设备介绍适用于所有可让近红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...

电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – ZUI简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0)， 而且非常接近化学计量 (就是说，硅：氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范，通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难，因为硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是，氧常常渗入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大测量难度。 但是幸运的是，我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!可见光可测试的深度，良好的厚样以及多层样品的局部应力。

厚度测量产品：我们的膜厚测量产品可适用于各种应用。我们大部分的产品皆備有库存以便快速交货。请浏览本公司网页产品资讯或联系我们的应用工程师针对您的厚度测量需求提供立即协助。单点厚度测量：一键搞定的薄膜厚度和折射率台式测量系统。测量1nm到13mm的单层薄膜或多层薄膜堆。大多数产品都有库存而且可立即出货。F20全世界销量蕞hao的薄膜测量系统。有各种不同附件和波长覆盖范围。微米(显微)级别光斑尺寸厚度测量当测量斑点只有1微米（μm）时，需要用您自己的显微镜或者用岱美仪器提供的整个系统。膜厚仪通过不同的测量原理来实现对膜厚的精确测量。半导体膜厚仪技术原理

几乎任何形状的样品厚度和折射率的自动测绘。人工加载或机器人加载均可。半导体膜厚仪技术原理

FSM360拉曼光谱系统FSM紫外光和可见光拉曼系统,型号360FSM拉曼的应用l局部应力；l局部化学成分l局部损伤紫外光可测试的深度优袖的薄膜（SOI或Si-SiGe）或者厚样的近表面局部应力可见光可测试的深度良好的厚样以及多层样品的局部应力系统测试应力的精度小于15mpa(0.03cm-1)全自动的200mm和300mm硅片检查自动检验和聚焦的能力。以上的信息比较有限，如果您有更加详细的技术问题，请联系我们的技术人员为您解答。或者访问我们的官网了解更多信息。半导体膜厚仪技术原理